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InAs材料是第三代半导体材料的代表,被认为是未来光电子器件的组成基石,近些年来已经成为人们研究的热点。InAs是重要的窄带隙直接跃迁型Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,室温下具有较高的电子迁移率和发光效率,化学性质稳定。基于这些优良的性质,许多InAs基的光电探测器、场效应晶体管、激光器和气体探测器已经称为当下研究的热点。另外据报道,InP纳米线包层可以显著改善InAs纳米材料的电学性能和光学性能,然而还没实验系统的研究InAs/InP异质结纳米线的光敏特性。本文利用自组装MOCVD设备,生长出5种不同包层厚度的InAs/InP异质结纳米线,InP包层厚度分别为0 nm、1.1nm、3.3 nm、6.5 nm和18 nm。采用介电泳结合表面刻槽的方法,在电极间排列了根数固定的纳米线,并利用半导体工艺制备了纳米线晶体管,最后制作了测试电路和系统,成功测试了InP包层厚度和栅极电压,对纳米线晶体管的光敏特性的影响。实验结果表明:栅极电压选择在晶体管开启电压0 V附近,器件的灵敏度最大。InP包层的厚度达到3.3 nm时,InAs/InP异质结纳米线晶体管有最佳的光电响应。InP包层厚度增加时,晶体管器件的灵敏度和响应速率逐渐增加,当InP包层厚度达到3.3 nm时,器件灵敏度和响应速率达到最大。相关的光敏响应机理可以由p/n型传导、内建电场和界面态束缚电子的理论来解释。