【摘 要】
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近年来,二硫化钼(MoS2)因其性质稳定、无毒环保、易制备易改性等优越的性质,在传感器、制氢、光催化及光电降解等领域有潜在的应用前景。但单片层的MoS2本身具有光生电子空穴易复合、量子利用效率低,导电性能差等缺点。为改善该材料的性能,目前主要采用功能化MoS2、非功能化形貌调控、金属纳米粒子表面修饰、半导体异质复合等方法。本文主要以钼酸钠和硫脲为反应前驱体,制备了具有更多活性位点和光电性能较强的M
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近年来,二硫化钼(MoS2)因其性质稳定、无毒环保、易制备易改性等优越的性质,在传感器、制氢、光催化及光电降解等领域有潜在的应用前景。但单片层的MoS2本身具有光生电子空穴易复合、量子利用效率低,导电性能差等缺点。为改善该材料的性能,目前主要采用功能化MoS2、非功能化形貌调控、金属纳米粒子表面修饰、半导体异质复合等方法。本文主要以钼酸钠和硫脲为反应前驱体,制备了具有更多活性位点和光电性能较强的MoS2纳米花状材料,并对其电化学性能以及光电降解能力进行了深入的研究,主要分为以下两部分内容:1.采用溶剂热法合成纳米二硫化钼,将MoS2作为杂多酸的载体,与多金属氧酸盐[(NH4)12[Mo36(NO)4O108(H2O)16]·33H2O(NMo36)相结合形成纳米复合材料,然后修饰到玻碳电极(GCE)表面成功制备了NMo36/MoS2/GCE传感器。使用循环伏安法和微分脉冲伏安法等研究了该电极修饰材料的电催化性能,同时将该修饰电极用于对苯二酚(HQ)、邻苯二酚(CC)和间苯二酚(RS)的电化学检测,结果表明,NMo36/MoS2/GCE对HQ、CC和RS具有良好的电信号响应。且在同时测定的情况下,HQ、CC和RS的线性范围分别为2-245μM,1.5-150μM和1.5-135μM,检出限分别为0.64μM,0.51μM和0.72μM。此外,该传感器可应用于实际水体中HQ、CC和RS的同时检测分析,这意味着此项工作具有广阔的应用前景。2.相比于单片层的MoS2,水热改性合成的纳米花状的MoS2的具有优越电子捕获能力,与绿色无污染的铋系材料钨酸铋(Bi2WO6)结合形成了异质结的稳定催化剂,并对不同配比的复合材料进行优化选择,极大地改进了MoS2/Bi2WO6复合材料的光电催化性能。选用X-射线衍射、扫描电子显微镜以及紫外-可见漫反射等技术手段对材料的微观形貌进行表征。此外,进行光电实降解验有机染料—罗丹明B(RhB)用以评估复合材料的光电性能。结果表明,相比于单独单个组分,10%MoS2/Bi2WO6复合材料对RhB的降解能力表现出更加明显地光电响应性能,这为污染物的催化降解工作提供了新的研究思路。
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