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本文采用热压烧结工艺和放电等离子烧结(SPS)工艺,制备了BAS/SiC、BSAS/SiC和BAS/(Si3N4-SiC)复合材料。采用XRD、SEM、TEM和HRTEM等测试方法对所制备的复合材料进行了物相及组织结构分析;采用三点弯曲、单边切口梁及压痕等方法测定了复合材料的室温力学性能。系统地研究了BAS含量、烧结工艺对复合材料的组织结构及性能的影响,揭示了SiC基复合材料的断裂行为及强韧化机理。并在其基础上,进一步研究了复合材料的高温抗氧化行为及其损伤机理。成功地将BAS玻璃陶瓷引入到SiC陶瓷中,获得了致密的SiC基陶瓷复合材料。BAS不仅能有效地促进SiC陶瓷的致密化,而且自身还能完全晶化成高熔点的六方钡长石。SiC晶粒均匀地分散于连续的BAS相中,烧结温度的提高和BAS含量的增加均能进一步提高SiC基复合材料的致密度。BAS/SiC复合材料具有良好的综合力学性能,1900oC热压烧结制备的40wt.%BAS/SiC复合材料的抗弯强度和断裂韧性可分别达到597MPa和7.0MPa·m1/2,且室温力学性能可维持到1200oC。其主要的韧化机理为裂纹的偏转、SiC晶粒的拔出与桥连。Sr部分取代BAS中的Ba,虽能进一步促进材料的致密化,但未能有效地促进BAS由六方相→单斜相的转变。BAS/SiC和BSAS/SiC复合材料的显微组织受BAS含量的影响不大,说明SiC晶粒的生长是受界面反应控制的。TEM分析结果表明,复合材料中BAS和SiC晶粒直接结合,无明显的界面反应层或非晶层,说明在烧结过程中BAS和SiC之间没有发生化学反应,SiC和BAS具有良好的化学相容性。BAS/SiC复合材料具有优异的高温抗氧化性能。氧化测试结果表明,BAS/SiC复合材料氧化增重曲线呈抛物线变化规律,高的BAS含量能提高材料的抗氧化性能,40wt.%BAS/SiC复合材料经1200oC下氧化8小时后增重仅为0.31mg/cm2。利用放电等离子快速烧结(SPS)技术,成功地制备出致密的BAS/(Si3N4-SiC)复合材料。Si3N4晶粒的加入显著提高了BAS/SiC复合材料的力学性能,30wt.%BAS/(20Si3N4+50SiC)复合材料中,30wt.%BAS/SiC复合材料的抗弯强度由527MPa提高到659MPa;30wt.%BAS/SiC复合材料的断裂韧性由5.5 MPa·m1/2提高到6.7MPa·m1/2,其力学性能的提高主要归结于自生β-Si3N4棒晶对复合材料的强韧化效应。