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本文基于密度泛函理论第一性原理,应用Wien2K软件在广义梯度近似(GGA)下进行计算。本文主要针对MoS2纳米结构光电特性进行了研究。首先,我们通过GGA以及GGA+U的方法研究了Mn原子与B,C,N原子共掺对单层MoS2光电特性影响的研究。通过研究发现,Mn原子与C原子共掺使单层MoS2产生磁性,而Mn原子与B,N原子共掺使单层MoS2依旧表现为半导体特性,带隙变小。Mn原子与B,C,N原子共掺单层MoS2使其介电函数、吸收系数、反射折射率发生了红移。为了研究共掺情况下单层MoS2在实验上的可行性,我们对形成能进行了计算。通过能量计算,我们发现单层MoS2在共掺Mn原子与C原子的情况下,体系最稳定,在实验上相对容易实现。其次,我们通过GGA的方法对单层MoS2进行了V原子掺杂以及Mo,S原子缺陷处理并研究了其电子结构和光学性质。研究表明,对单层MoS2进行V原子掺杂与Mo原子缺陷以及S原子缺陷处理后,单层MoS2均表现出磁性,变为磁性半导体。其光学性质发生不同程度的红移现象,其中,以V原子掺杂与Mo原子缺陷同时发生时,吸收边红移程度最大。此外,我们对MoS2的Armchair纳米带以及Zigzag纳米带进行了边缘F化和原子缺陷处理。众所周知,MoS2 Armchair纳米带是半导体,而MoS2 Zigzag纳米带则表现出金属特性。我们期望通过对它们进行边缘F化和缺陷处理,从而改善MoS2 Armchair纳米带的光电特性,同时改变MoS2 Zigzag纳米带的金属特性。但是事实证明,对MoS2Zigzag纳米带进行边缘F化以及边缘F化条件下的原子缺陷处理时,并不能改变纳米带的金属特性。在对Armchair纳米带分别进行边缘F化以及S原子缺陷处理之后,MoS2纳米带表现为金属特性。Mo原子缺陷情况下的Armchair纳米带带隙减小为0.14eV,且光学性质发生红移现象。两个S原子缺陷下的纳米带则表现出半金属特性。最后,我们通过在单层ZnTe上进行MoS2的界面生长计算,对其电子结构,光电特性进行了研究。根据不同原子的对应,我们研究了五种不同的构型,包括Te-Mo,Te-S,Hollow,Zn-Mo,Zn-S。研究表明,在ZnTe上生长出的单层MoS2其带隙变窄,并依旧表现为半导体特性。光学性质包括介电函数、吸收系数、反射率、折射率均发生红移现象。