磁控溅射法制备MgxZn1-xO薄膜及性能研究

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MgxZn1-xO三元固溶体作为ZnO基的半导体化合物,在发光二极管、激光二极管、太阳能电池和紫外探测方面有着较广阔的研究空间,其本身也可以作为紫外发光器件,具有很高的应用价值。因此近年来对该材料的研究较多,对材料制备工艺的研究也越发成熟。本文选取组分为Mg0.4Zn0.6O的陶瓷靶材,采用射频磁控溅射的物理沉积方法获得MgxZn1-xO薄膜。分别在不同的溅射时间、溅射功率、不同衬底温度条件下研究薄膜的结构、形貌和性能的改变,同时研究了退火后样品的性能变化。利用x射线衍射分析来确定薄
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