近年来,电力电子技术飞速发展。然而,每一项新技术的出现和新装置的诞生都是以一代新器件的问世为契机。因此,电力电子器件是电力电子技术的基础和使其发展的强大动力。现代高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为第三代电力电子的产品,在电力电子领域得到越来越广泛的应用。而现代高压功率半导体器件的阻断能力则是衡量其发展水平的一个非常重要的标志。为了提高其耐压能力,需要对器件进行终端结构设计,达到所要求的耐压标准。本文的主要目的是设计一款使击穿电压达到1700V的结终端结构。首先,从理论上分析出使器件击穿电压降低的几个主要因素。同时,根据国内现有工艺生产的实际特点,决定采用场板和场限环组合的保护技术作为设计的基本框架。其次,利用Medici二维器件模拟软件,并结合相关文献资料,根据器件整体设计要求,确定终端结构的一些基本参数(环间距、环宽度、场氧厚度、衬底浓度等)。以单个场限环为例,探讨了击穿电压随不同参数变化的一般规律。进而,根据理论计算和相关文献,确定该结构的场限环数。最后,确定终端结构参数的最初值,采用Medici进行模拟分析。从电压和电场分布上对该结构进行优化。利用定点优化的方法,从对终端结构影响最小的参数入手,通过对比分析,确定最终的参数,得到理想的模拟结果。在本课题的研究中,进行了大量的仿真模拟工作。设计的终端结构的模拟结果达到2000V。所在实习公司按设计进行了一次投片实验,结果为1850V,达到了设计的要求,误差在合理的范围之内,证明所设计的终端结构在实际生产中是可行且较易实现的。论文的研究工作为类似的设计提供了有益的参考。