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该文首次利用实验和理论相结合的方法较系统和深入地研究了负衬底偏压增强热灯丝化学气相沉积金刚石薄膜的核化过程.第一次研究了负偏压增强金刚石薄膜与衬底之间的结合力问题和衬底碳化物在金刚石的核化过程中对含碳粒子的凝聚作用.从理论上最先给出了活性离子数、金刚石核的形成有、衬底表面温度、扩散系数以及金刚石核与衬底之间的结合强度同负衬底偏压之间的解析函数关系,其结果与实验结果一致.通过分析金刚石薄膜的结构,提出了缺陷增强金刚石薄膜内的电场,石墨增强电子的隧穿以增强CVD金刚石薄膜场发射的机制,并计算了金刚石薄膜场发射的电流密度和用该机制解释了一些实验现象.