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横向高压功率器件LDMOS(Lateral double-diffused MOSFET)已经广泛地应用于功率集成电路和微波集成电路中,它具有耐高压、增益大、动态范围宽、失真低、易于和低压电路工艺兼容等特点。随着半导体工艺技术的不断成熟,尤其是SOI(Silicon on Insulator)技术的发展,SOI LDMOS已经应用于高速功率集成电路和射频集成电路中。因此,对体硅和SOI的LDMOS器件特性的研究与建模有着重要实际意义。 LDMOS的结构复杂,而且沟道是非均匀掺杂,很难求出解析模型。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,然后将两个区域的特性方程联立求解。如果LDMOS的结构过于复杂,就可能求不出解析解。即使可以求解,这些方程用于SPICE电路仿真时计算量很大,而且不容易收敛。本文利用二维半导体器件模拟软件MEDICI模拟出LDMOS电阻随着漏源电压变化的曲线,通过MATLAB拟合这些曲线,得到了LDMOS全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOS电路的宏模型。无论LDMOS的结构怎样复杂,我们都可以很快的通过数值模拟得出它的宏模型。该模型的精度高、参数少、易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛。根据得到的等效电路对一个高压CMOS反相器进行了设计,计算出宏模型中的参数与反相器电路参数(如N管下降沿时间)的关系,从而可以指导电路设计者如何调整LDMOS的参数得到需要的电路参数。高压LDMOS晶体管在反相器中的功耗很难估算出,利用我们得到的宏模型,可以计算高压LDMOS的均方功耗,然后求出高压LDMOS的本征功耗,发现它与电源电压呈三次方的关系。通过计算CMOS反相器导通功耗和功率增益,得到其功率增益与频率成反比,说明高压LDMOS 适合在较低频率下工作。高压LDMOS应用于实际电路中,最主要的问题就是功耗过大,如果将LDMOS分成许多单元并联,电路的功耗就可以降低很多。本文还分析了场极板对体硅LDMOS击穿电压的影响,根据LDMOS场强的分布,分别计算了场极板为无穷长和有限长时的击穿电压,得到了击穿电压与场极板长度的