逆阻IGBT（Reverse Blocking IGBT,RB-IGBT）是一种将IGBT背面PN结加固的新型功率器件。直接使用RB-IGBT,相比于传统IGBT串接二极管的应用方式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低、可靠性和坚固性高的优点。高压逆阻IGBT在电网、轨道交通、电化工领域都有广泛的应用,自从被提出以来,RB-IGBT在加工工艺和结构设计方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。本文着重设计一种高压逆阻IGBT,且正反向耐压均能够达到4000V以上,并借助Sentaurus TCAD仿真软件对逆阻IGBT进行建模与仿真,阐述器件元胞及终端区设计原理,分析结构参数对器件各性能的影响,最终给出较为合理的设计参数,具体工作内容如下:1)针对元胞部分,设计并验证了元胞结构、衬底材料的电阻率、有源区、集电极区的结构参数;通过仿真分析确定元胞的发射极N+区注入剂量和结深、P-well注入剂量和结深、栅极长度、衬底厚度及掺杂浓度、P-back区厚度及注入剂量^[1]。并对满足3.3kV元胞结构设计进行阻断特性、静态特性、开关特性仿真。2)针对终端区部分,设计了正向耐压终端结构:包括场限环的个数、场限环宽度、场限环之间的间距、场板的长度等各结构参数,并通过仿真分析讨论场限环掺杂浓度、结深对正向耐压的影响^[2];针对终端区反向耐压结构:提出了一种新型高效的打孔隔离终端结构,该隔离终端相比与传统RB-IGBT扩散隔离终端,终端面积可节省80%左右,同时在固定终端面积上最大限度的提高RB-IGBT反向耐压,本文又提出了一种在终端区加N+阻挡环结构,该结构相比于不加阻挡环提高到相同耐压,本设计可节省30%终端面积。