电吸收调制器(EAM)是支撑大容量密集波分复用(DWDM)和光时分复用(OTDM)光网络系统的关键器件。本论文围绕EAM器件及其无源对准耦合开展了一系列的研究工作。主要内容如下：　　 1.成功设计并研制出具有内台阶量子阱(IQW)有源区和非对称大光腔(LOC)结构的集总式InGaAsP／InP电吸收调制器。研制出的调制器波长在1500—1510nm之间，适用于对1550nm光通信波长的光调制；反向击穿电压可达10V，浅脊结构的EAM直流消光比在-3V时达到20dB，光吸收随偏压变化曲线的斜率效率高达15dB／V；光场分布特性有了明显的改善，近场光斑由椭圆状变得圆形化，垂直方向的远场发散角比相应的无大光腔结构减小很多；150μm腔长深脊EAM的电容在3V时为0.42PF，估计带宽为15GHz。　　 2.在集总电极EAM的基础上，设计了行波电极EAM结构。探索了制备工艺，打通了工艺流程，初步研制出行波电极结构的EAM样品。对器件的电学微波特性进行了测试，直流反向击穿电压达10V；在20GHz的测试范围内，微波反射损耗S11低于-16dB，传输损耗S21为1dB。其它性能有待进一步检验和测试。该工作为后续行波电极结构设计及工艺优化奠定了基础。　　 3.研究了用于光电子器件无源耦合的V槽Si基光学平台。以高阻硅为衬底，集成高精度V型槽和低微波损耗Si基共面波导：V型槽精度可达到1μm，边缘清晰，表面光滑；共面波导在26GHz的仪器测试范围内，微波损耗小于2dB／cm。以此为基础，设计并成功制备了用于激光器无源耦合的V槽Si基平台；并提出了用于行波EAM双端无源耦合的双V槽Si基平台结构设想。