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在本文中,利用磁控溅射法,通过AZO及SiO_2双靶共溅射在石英玻璃表面制备AZO薄膜。在实验过程中通过功率调节,以膜厚为函数制备掺杂比例为1: 1、2: 1、4: 1(AZO膜厚:SiO2膜厚)的样品。同时,在沉积过程中改变沉积温度(25℃,100℃,300℃,500℃)。结果分析表明,4: 1掺杂500℃沉积样品的晶粒尺寸最大,尺寸约为36nm。最小电阻率也出现在500℃,4: 1掺杂的样品,电阻率约为1.79×10-1Ωcm。通过掺入一定比例的SiO2提高了AZO的透光性,透光率为87%-90