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有机发光二极管已经成为当今显示器中的研究热点,其中,AMOLED是主流产品,而对于AMOLED的技术开发,除了OLED发光器件,TFT以及其像素电路也占了重要的位置。ZnO基TFT的迁移率比a-Si TFT高,制备工艺比p-Si TFT简单,没有晶化等过程。并且ZnO的禁带宽度较宽,为3.37eV,在可见光波段透过率高,在80%以上,不仅能够提高TFT背板的开口率,还可以用来制备AMOLED透明显示器件,另外由于ZnO具有低温制备的特性,也可与柔性衬底结合制备AMOLED柔性显示器件,因此,ZnO-TFT的研究对于AMOLED的发展是有推动作用的。本文以制备性能优良的ZnO-TFT为目的,研究了用RF磁控溅射法制备的ZnO薄膜特性以及ZnO-TFT的制备工艺和TFT的电学性能,并且还研究了TFT像素电路的参数设计思路,主要内容分为以下四个部分：1、源漏极Al薄膜以及有源层ZnO薄膜的制备。采用磁控溅射方法,通过改变工艺参数,在ITO玻璃上制备了一系列Al以及ZnO的薄膜样品,并对薄膜进行测试,讨论了溅射压强对Al薄膜沉积速率的影响以及衬底温度、氧气含量对ZnO薄膜晶体结构和光学性质的影响。2、ZnO-TFT的制备。实验中采用SiO2/n-Si (111)作为阵列衬底,采用磁控溅射、光刻等半导体工艺,通过不同的步骤制备了底栅底接触和底栅顶接触的TFT阵列。其中底栅底接触结构的TFT采用了两次光刻,有源层ZnO薄膜的湿法刻蚀选用HC1:H2O=1:10的配比溶液,金属电极A1薄膜的湿法刻蚀选用了磷酸溶液。另外制备底栅顶接触结构的TFT采用了剥离工艺,不需要刻蚀。3、TFT的电学性能测试。通过4200-SCS系统测试TFT的电学性能,得到了其输出特性曲线和转移特性曲线,进而计算出TFT的开关比、阂值电压、场效应迁移率等性能参数,并讨论了有源层厚度对TFT电学性能的影响,最后对器件的稳定性进行了分析。4、研究了一种TFT像素驱动电路的参数设计方法。主要分析了一种四管像素电路的各参数对输出电流的影响,利用HSPICE软件对其进行了仿真。