阴极电沉积法制备铜的金属有机框架薄膜材料

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金属有机骨架材料(MOFs)是由金属离子或离子簇与有机配体通过配位作用形成的具有周期性网络结构的多孔材料。鉴于MOFs材料具有很多优良的特性,如大的比表面积、永久的孔隙率、可调控的尺寸及结构和良好的热稳定性以及化学稳定性等,这让MOFs材料被广泛应用在气体存储与分离、药物输送以及催化等领域。基于MOFs材料的这些应用,MOFs材料的加工也日益发展,特别是MOFs薄膜的制备是最近刚刚开始的一个领域,因为其对于许多应用如化学传感器和膜层而言都很重要。目前关于MOFs薄膜的制备方法有很多,如溶剂热法,液相外延法,电化学法等。电化学方法与其他方法相比具有几个优点,例如更短的合成时间,它还提供了直接实时影响控制反应的可能性。目前很少有关于利用阴极还原法制备铜基MOF(HKUST-1)的报道,因为铜离子还原电位很低,很容易在电化学合成过程中被还原出来。在本课题中,我们研究了一种氧气辅助阴极电沉积方法,并且利用此方法我们成功地在多种基底上制备出了纯相的HKUST-1膜层。具体研究工作由以下三个部分组成:(1)在两电极体系中利用此方法进行HKUST-1阴极电沉积初步探究并研究究不同实验条件如温度、电压、反应时间等对此阴极电沉积法的影响。(2)在三电极体系中利用循环伏安测试对阴极电沉积法制备HKUST-1薄膜的反应机理进行探究;(3)在三电极体系下研究了不同实验条件如电压、温度、反应时间等对此阴极电沉积法的影响并且实现了对HKUST-1膜层厚度的调控,初步探索了该方法在其它导电基底以及对其他MOF的适用性。
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