【摘 要】
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该实验中采用直流电弧等离子体气相沉积金刚石薄膜,着重研究了金刚石薄膜的形核、长大与工艺参数(反庆气体体积浓度比、Ar的流量、温度场的分布和石墨阴极电流)和基体表面预
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该实验中采用直流电弧等离子体气相沉积金刚石薄膜,着重研究了金刚石薄膜的形核、长大与工艺参数(反庆气体体积浓度比、Ar的流量、温度场的分布和石墨阴极电流)和基体表面预处理之间的关系,同时对金刚石薄膜的生长机理进行了一定的研究探讨,其中主要是用相应生和动力学模型具体实验体实验条件下金刚石与无序状碳之间的竞争生长过程.实验研究结果表明,基体采用W1型金刚石研磨膏研磨、超声波清洗的预处理方式,在CH<,4>体积浓度比为2﹪左右[CH<,4>/(CH<,4>+H<,2>)×100﹪],Ar的流量范围为4~5SLM之间,基体表面沉积温度为1030-1080℃之间,石墨阴极电流范围在140~160安培之间,可以得到较为理想的金刚石落薄膜.
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