设备的电磁屏蔽问题是系统电磁兼容性研究的重要内容。良好的屏蔽可以防止电子设备受到外界的干扰,同时又可以减少电子设备的向外辐射。屏蔽箱体由于通风散热和进出线等原因,会在其侧面开口,箱体内的电磁干扰源,便可通过这些开口向外耦合能量,污染周围的电磁环境。为了很好地解决屏蔽箱体的电磁兼容性,往往需要在产品设计之初就进行电磁场方面的数值仿真。论文以屏蔽箱体开口电磁辐射远场的数值仿真为研究对象,提出了一种时域有限差分(FDTD)法与基于开口等效磁流源外推积分方程相结合的远场计算方法,以期能够有效地实现远场的仿真,并能够对屏蔽箱体的电磁兼容设计提出合理的建议。在金属屏蔽箱体内部可能存在各种电子器件或设备,结构往往非常复杂,而电磁辐射源也往往以脉冲的形式出现,因此仿真以瞬态场为主。FDTD 在解决这两方面上,具有其突出的优越性,因此FDTD 可以很好的解决箱体辐射的近场仿真。但是在计算金属屏蔽盒外部远场情况时,如果还直接使用时域有限差分法,现有的计算机内存和CPU 速度是根本不可能的。为了克服这种困难,在使用时域有限差分法计算出近场后,根据等效原理,利用近场数据建立某种等效源,然后再通过解积分方程(IE)来外推远场,这样可以节省计算机内存和计算时间。本文首先采用了传统的零场等效源的方式在箱体外建立封闭的外推边界,通过推导的外推公式来求解远场。在将这种方法应用于解决该瞬态问题时发现,该外推方法对内存和计算时间的要求还是很高。因此本文在研究了箱体开口耦合的理论的基础上,通过合理的近似,建立了基于开口等效磁流源的外推公式,并在离散处理中与FDTD 相结合,从而得到远场的数值计算公式,能够进一步降低对计算资源的要求。通过建立了多种开口模型的算例,与FDTD 直接计算和基于零场等效源的外推方法作交叉验证,结果表明采用该方法的计算结果具有较高的准确性。本文还总结了多种开口形式对辐射远场电场强度的影响,对屏蔽箱体电磁兼容设计提供了一些的有益建议。