目前，人们对单轴向列相液晶中的畴壁已经有了深入的研究，并通过一系列的实验对高分子液晶中出现的畴壁形态进行了观测。本文将已有的关于单轴向列相液晶的畴壁知识拓展到双轴向列相液晶畴壁的研究，利用现有的关于双轴向列相液晶的理论知识，研究处于磁场中的畴壁，将数值计算与理论结果对比，加深对双轴向列相液晶中畴壁的了解。由于双轴向列相液晶分子的三个轴磁化率各不相等，我们通过改变磁场的方向来使液晶分子发生不同的形变，从而形成不同的畴壁类型，并对之加以理论处理。根据双轴向列相液晶分子的磁化率的相对大小，我们分为三种情况，分别对其进行研究。假设指向矢n与z轴的夹角为，我们在研究每一种情况时还要考虑到分别与x、y、z坐标的函数关系，并在每一种函数关系中，沿不同的坐标轴方向施加磁场。在所有的情况都考虑后，共发现了12种不同的畴壁，其中6种扭曲壁的形态相似，另外6种展-弯曲壁的形态相似。