【摘 要】
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二维本征铁磁半金属,兼具铁磁性材料与半金属的性质,在自旋电子学领域有着不可估量的应用价值,也是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。然而,目前制备和预测出的本征二维铁磁性半金属非常少,且大多数居里温度低、磁各向异性能小,实际应用极其受限。所以寻找出具有高居里温度和大磁各向异性能的本征铁磁半金属材料,或者利用施外部应力、掺杂载流子、表面吸附和合金化等外部手段来调控已有材料的电子和磁性质使其获取上述优异
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二维本征铁磁半金属,兼具铁磁性材料与半金属的性质,在自旋电子学领域有着不可估量的应用价值,也是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。然而,目前制备和预测出的本征二维铁磁性半金属非常少,且大多数居里温度低、磁各向异性能小,实际应用极其受限。所以寻找出具有高居里温度和大磁各向异性能的本征铁磁半金属材料,或者利用施外部应力、掺杂载流子、表面吸附和合金化等外部手段来调控已有材料的电子和磁性质使其获取上述优异性质的研究非常有意义和价值。本论文借助实验上首次成功制备的铁磁半导体CrI3单层和Cr2Ge2Te6单层为基底,与具有特殊电子构型的Mn原子进行非等价合金化,然后基于密度泛函理论计算合金化物电子结构和磁性质,同时对合金化物进行应力和载流子的调控及电子和磁性质研究,实现其半金属性质,进而揭示其优异电子性质和磁性能的物理机制,从而丰富二维半金属材料,为新型自旋电子学器件的开发和研究提供设计思路与理论指导。具体工作如下:(1)非等价合金化合物CrMnGe2Te6单层的本征铁磁半金属性基于第一性原理计算,系统研究了非等价合金化合物CrMnGe2Te6单层的结构、电子和磁性质。结果表明该单层是一个本征的铁磁半金属材料,拥有单胞2.175meV的面内MAE和高达185K的高居里温度(Tc),其Tc近乎Cr2Ge2Te6单层的3倍多。这主要源于Te原子介导的90°超交换相互作用和基于体系中近邻Cr原子与Mn原子间刚好相差一个价电子的潜在的双交换相互作用的铁磁性耦合机制。另外,在1%~6%的拉伸应力调控范围内不仅其铁磁半金属性都得到了很好的保持,而且Tc和面内MAE值显示单调递增,且二者在6%的拉伸应力下可以分别达到255 K和3.340 meV/单胞。同时,对于载流子掺杂调控,除了掺杂0.5个电子下显示铁磁金属外,其他情况下的铁磁半金属性都得到了很好的保持。同时,根据二阶微扰理论,我们揭示了CrMnGe2Te6单层中较大的面内磁各向异性能主要来源于Te原子的〈py ↑ |Lx|pz ↑〉和〈py ↓ |Lx|pz↓〉轨道耦合和 Mn 原子〈dx2-y2↑|Lz|dxy↓〉和〈dx2-y2↓|Lz|dxy↑〉轨道耦合。显然,这些有意义的发现将对CrMnGe2Te6单层在自旋电子学领域的研究起到重要的作用。(2)非等价合金化合物CrMnI6单层的本征铁磁半金属性和大磁各向异性基于第一性原理计算,系统研究了非等价合金化合物CrMnI6单层的电子结构和磁性质,幸运地发现它是一种铁磁半金属材料,具有单胞36.75 meV大的面内MAE和高达145K的Tc,远高于单层CrI3(45K)的Tc值,这可能归因于其特殊的FM耦合机制,Cr和Mn原子拥有相差一个价电子的价态,其双交换相互作用可在超交换相互作用的基础上进一步稳定其FM状态,值得注意的是,在整个载流子掺杂范围内,CrMnI6单层除了 0.5个电子掺杂为铁磁半导体之外,其余均保持FM半金属性,且在-4%到6%的双轴应变范围内,FM半金属性也能保持。此外,它的面内MAE在各种应变和空穴掺杂条件下均可以保持,特别是在0.1空穴掺杂和6%拉伸应变下,其值可以提高到68.41和60.58 meV。对于电子掺杂,易磁轴实现了从平面内到平面外的转变。根据二阶微扰理论,CrMnI6单层较大的面内MAE可能主要来源于I原子的〈px↑|Lx|pz↑〉和〈px↓|Lx|pz↓〉轨道耦合和部分来源于Cr原子和Mn原子的〈dx2-y2 ↑ |Lz|dxy↓〉和〈dx2-y2 ↓|Lz|dxy ↑〉轨道耦合。该结果预示着CrMnI6单层将会是一个好的自旋电子器件候选材料。
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