【摘 要】
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铟锡氧化物（ITO）透明导电薄膜作为电流扩展层和透光层淀积在P-GaN表面用以提高GaN基发光二极管（LEDs）的光效。本论文通过电子束蒸发制备ITO薄膜，将薄膜淀积在石英玻璃片上，并在炉管
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铟锡氧化物（ITO）透明导电薄膜作为电流扩展层和透光层淀积在P-GaN表面用以提高GaN基发光二极管（LEDs）的光效。本论文通过电子束蒸发制备ITO薄膜，将薄膜淀积在石英玻璃片上，并在炉管中退火，通过对ITO方块电阻和透光率的测量，研究薄膜厚度以及退火条件对ITO薄膜光电性能的影响。然后将不同厚度和退火条件制备的ITO薄膜应用于尺寸为205μm×508μm的GaN基发光二极管，通过测量20mA注入电流下LED的正向电压、光强分布、光输出功率和光通量，研究了ITO薄膜对LED光电性能的影响。试验结果表明ITO厚度250nm，退火温度400℃，N2流量30L/min，退火时间10min的工艺条件下可以获得高质量的ITO薄膜，在此优化条件下测得ITO方块电阻大约为12Ω/□，透光率达到95%以上，制得的蓝光LED在注入电流20mA下的正向电压为3.18V，光输出效率为26.11mW，白光封装验证为7.81lm
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