环形谐振腔半导体激光器

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为适应单片集成光电子通讯的发展需要,提出了工艺简单且容易集成的环形谐振腔半导体激光器。为了使环形谐振腔半导体激光器能够受激发射,分析了环形谐振腔半导体激光器的模式特性,弯曲损耗,并进行了工艺制作,探索了环形谐振腔半导体激光器实现激射的途径。 在材料上,采用了发射波长为808nm的GaAs/AlGaAs单量子阱激光器外延材料。在器件结构上,设计了窄脊环形谐振腔和药片式谐振腔;在器件尺寸上,设计了从50μm—200μm一系列半径大小的环形谐振腔;在湿法腐蚀脊形波导结构中,实验配制出对GaAs/AlGaAs材料具有良好各向同性的H3PO4系腐蚀液。 在室温下,对设计的环形谐振腔半导体激光器进行了测试。结果表明其只是荧光工作,表明5μm条宽下的各种尺寸环形谐振腔损耗均过大。
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