【摘 要】
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随着电力电子器件的不断进步,以SiC为代表的新一代宽禁带半导体器件应用日益广泛。SiC三相PWM整流器具有输入特性好,功率因数和功率密度高等特点。但SiC高频化的应用,对电路其他元件的高频特性是一个考验。本文针对SiC三相PWM整流器在高频化应用中的硬件电路和控制器设计、启动过流以及滤波电感电感量非线性变化等问题,对其控制系统进行了系统的分析和研究。为了对基于高频化的SiC三相PWM整流器进行硬件
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随着电力电子器件的不断进步,以SiC为代表的新一代宽禁带半导体器件应用日益广泛。SiC三相PWM整流器具有输入特性好,功率因数和功率密度高等特点。但SiC高频化的应用,对电路其他元件的高频特性是一个考验。本文针对SiC三相PWM整流器在高频化应用中的硬件电路和控制器设计、启动过流以及滤波电感电感量非线性变化等问题,对其控制系统进行了系统的分析和研究。为了对基于高频化的SiC三相PWM整流器进行硬件电路的分析与设计,对SiC MOSFET与传统Si器件在静态特性、开关特性等方面进行了对比分析,得到了高
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