本文首先介绍了半导体中的基本光学过程，着重分析了能带带间包括带尾之间的跃迁、晶格振动和喇曼（Raman）散射特性，简介了研究样品的测量仪器真空紫外光谱仪和傅立叶变换光谱仪。然后给出了相关的理论模型，包括三层薄膜透射和反射、晶格振动区域以及吸收边以上基本吸收区域的折射率模型。最后，重点介绍了我所研究的反应离子刻蚀（RIE）碲化锌（ZnTe）晶体从紫外到红外波段的光学性质和应用，这些工作都是从测量RIE ZnTe晶体各种类型的光谱开始的。 通过研究RIE ZnTe晶体的远红外（FIR）反射谱，我们得到了RIE ZnTe晶体损伤层平均厚度，介绍了刻蚀中缺陷的引入机制，估算了缺陷浓度，并分析了改变刻蚀条件特别是射频功率对晶体造成的影响。 在此基础上，我们计算了RIE ZnTe晶体在太赫兹（THz）频段的表面层有效折射率，并利用两套经验公式总结出了折射率与射频功率之间的关系。 此外，我们利用临界点（CPs）模型拟合了RIE ZnTe晶体紫外反射光谱，详细分析了ZnTe晶体吸收边以上基本吸收区域诸反射峰随刻蚀功率的变化，证明RIE ZnTe晶体表面层损伤程度不一致。