近年来,电子元件随着科技发展和市场需求不断向片式化、小型化、多功能化等趋势发展,介电材料性能领域获得了社会的广泛关注。由于介电材料的广泛应用,有关于介电材料的介电参数的研究也日益增多。探究介电常数与微观结构的关系成为近些年研究介电材料的重点。由于CaWO₄和ZnZrNb₂O₈是介电性能优秀的介电材料,尤其钨酸钙陶瓷,具有品质因数高,谐振频率温度系数稳定,烧结温度低而广泛应用。本文首先讨论了制备CaWO₄以及ZnZrNb₂O₈的纯相介电陶瓷,通过选择不同分散剂,不同烧结温度以确定最佳工艺路线。在接下来的两章中着重讨论了CaWO₄和ZnZrNb₂O₈对于不同离子掺杂的性能分析。我们对CaWO₄的A位的Ca²⁺离子进行了Sr²⁺离子和Ba²⁺离子的取代,对B位的W⁶⁺离子进行了Mo⁶⁺离子的取代,对ZnZrNb₂O₈进行了A位的Zn²⁺离子进行了Ni²⁺离子的取代。并且通过对取代完成样品的SEM图进行分析,对XRD衍射图谱进行精修,以求得原子位置,从而进一步求得键长,通过原子与原子之间的键长我们可以计算出键的离子性,晶格能量,键能,键价等重要参数,从而解释随着掺杂含量的变化,介电常数,Q×f₀,谐振频率温度系数的变化。我们得出以下结论:本论文采用固相法制备CaWO₄以及ZnZrNb₂O₈,CaWO₄的最佳烧结温度为1150℃,ZnZrNb₂O₈的最佳烧结温度为1250℃。探究介电常数与微观结构参数之间的关系时发现,介电常数会随着B位的离子性增大而升高,Q×f₀值随着堆积密度和晶格能量的增大而升高,谐振频率温度系数随着B位键能的增大而升高。并且CaWO₄进行B位Mo取代时,最佳介电性能为ε_r=10.22,Q=79919GHz,τ_f=-40.39ppm/^OC。CaWO₄进行A位Sr取代时,最佳介电性能为ε_r=9.42,Q=79867GHz,τ_f=-18.8/^OC。ZnZrNb₂O₈进行A位Ni取代时,最佳介电性能为ε_r=25.72,Q=73224 GHz,τ_f=-39.14/^OC。