原位生长SiC纳米线及其在SiCf/SiC复合材料中的应用

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SiC_f/SiC复合材料具有低密度、高比强度、高比模量、耐高温、耐腐蚀和低中子辐射诱导活性等诸多优异性能,在航空航天、核聚变反应堆等领域上的应用日趋广泛。然而,SiC基复合材料应用于高温结构部件,其力学性能还有待进一步提高。SiC纳米线有着比相同成分的块体材料高得多的强度和模量,将其作为增强体引入SiC_f/SiC复合材料中,对提高其强韧性具有巨大潜力。本文以聚碳硅烷(PCS)等先驱体为原料,通过化学气相沉积(CVD)工艺首先在KD-Ⅱ型SiC纤维编织件中原位生长SiC纳米线,然后采用先驱体浸渍裂
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