现代通信技术以无线通信为主,在过去数十年间飞速发展,推动着社会往信息共享和高效互联的方向不断迈进。受智能移动电子产品的影响,移动通信逐渐成为人们生活中通信方式的主流,从最初仅支持语音通话到目前能够满足各类数据传输业务,经过了几代的变迁。当前全球已经进入第五代移动通信（5G）时代,能够满足人们对高速率、低时延、大容量等性能的需求。低噪声放大器作为射频通信系统前端中的重要组成部分,5G移动通信的应用对其噪声、增益、线性度等性能指标做出了更严苛的要求。5G通信频段包括Sub-6GHz和毫米波通信频段。本文基于Ga As p HEMT工艺面向5G的两个频段设计并实现了两款低噪声放大器芯片,分别覆盖5G通信标准中的n38和n257频段,综合性能良好。第一款采用0.25μm Ga As p HEME工艺设计了一款Sub-6GHz频段内的低噪声放大器单片集成电路,采用单极共源共栅结构实现,相较传统的共源级放大器拥有较高的输出阻抗和增益。共源放大管处以金线键合到地的形式引入源极电感退化结构,形成局部串联负反馈,能够获得较大的Q值。调整电感的大小实现噪声和增益的协同优化,实现较低噪声的同时保证增益在较高水平。输出匹配中运用并联RC反馈,提高增益平坦度,增大工作带宽。通过测试,工作频率为2.5-2.7GHz,覆盖5G n38频段,噪声系数低于2d B,小信号增益达17.5d B的水平,增益平坦度小于0.2d B,输入1d B压缩点高于-2.4d Bm。第二款采用0.15μm Ga As p HEMT工艺设计了一款26-30GHz毫米波低噪声放大器单片集成电路。由于毫米波通信对射频性能的要求更为严苛,该电路采用了三级共源级联的形式提升增益。低频中常用的平面绕线电感在毫米波频率中寄生效应会增大,影响电路性能,为此我们采用微带线匹配的方法,降低寄生影响,对带宽、噪声和增益进行联合优化设计。测试结果显示,该毫米波低噪声放大器工作在26-30GHz,覆盖5G n257频段,噪声系数在2.5-3d B之间,实现了22d B以上的高增益,输出1d B功率压缩点高于14d Bm。