随着信息时代的来临，电源管理技术变得越来越重要。在诸多的电源管理技术中，LDO因为其小面积、高电源抑制比、微功耗、低噪声以及简单的外围电路等优点，倍受人们关注；此外，LDO还具有较好的线性瞬态响应和负载瞬态响应特性，这使它更加适用于便携式电子产品中，诸如PDA、MP3播放器、数码相机、手机等。因此，LDO线性稳压器成为极具竞争力的电源方案之一。　　 本论文在分析一般负反馈系统稳定性的基础上，对LDO线性稳压器的稳定性进行了深入的分析研究和稳定性零点补偿设计，提出了一种采用低阻抗源极跟随器的补偿方案。本文采用XFAB0．5μm BiCMOS工艺，设计了一款高性能、高稳定性的LDO线性稳压芯片。该芯片采用具有低漏失特性的PMOS管作为导通元件，提高了芯片的整体效率；利用内部零点补偿电路，实现了全负载范围内的稳定且改善了负载瞬态响应，同时提高了PSRR；同时还设计了过流和过热保护模块，确保了系统的可靠性。　　 最后，利用Cadence、Hspice等EDA软件对所设计的LDO线性稳压芯片进行了稳定性验证和性能参数仿真，仿真结果表明：负载电流从0变化到200mA时，该LDO线性稳压芯片闭环传输函数曲线变化很小，具有很高的稳定性，且瞬态响应特性很好，其它性能指标均能满足设计要求。