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半导体发光二极管具有节能、环保、寿命长、尺寸小等优点，被认为是取代传统光源的下一代照明技术。然而在半导体照明产业化的过程中，必须突破出光效率、工作功率、成本和可靠性等瓶颈，需要在材料、外延生长、器件封装等方面加大研究和分析的力度。
本文研究InGaAlP外延芯片、5ram封装发光二极管器件及大功率白光发光二极管器件，运用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线色散谱、二次离子质谱、视频显微镜、测量显微镜等微分析技术，对外延片的结构和组分以及器件的封装结构进行了分析，取得了制样方法和分析手段上的进步，为发光二极管的技术研发、失效分析、工艺监控和改进提供了支持和参考。