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有机-无机杂化钙钛矿材料以其载流子扩散长度长、迁移率高、禁带宽度合适、消光系数大、物理缺陷良性和成本低廉等特性被广泛关注。然而,大部分的研究应用主要集中于有机-无机杂化钙钛矿的多晶薄膜或纳米线,多晶形态中存在很多晶界,而晶界是缺陷和离子迁移的根源,原因是在晶界内离子迁移的能垒较低。而钙钛矿单晶(PSC)内部没有晶界,缺陷少,而且在稳定性和光电特性上具有潜在优势,因此基于PSC的光电探测器在性能上优于薄膜探测。因而在钙钛矿的研究方面,PSC成为一个新的热点。本论文的主要内容是在导电基底FTO/TiO2上长PSC,并将其组装成光伏型光电探测器。首先利用反溶剂法生长PSC块体,并将其用于窄频带探测器,原因是利用反溶剂法制备的单晶有部分溶液残留于界面,需要进行干燥处理后再组装探测器,这样不免引入界面缺陷,导致器件的整流特性不明显。并且,由缺陷引起的表面载流子复合使器件在短波长范围内没有响应,即实现窄频带探测。为了进一步提高器件性能,我们发明了一种通过控制溶液液面来生长钙钛矿单晶薄片的新方法。通过严格控制溶液液面的高低,使晶体在基底上沿二维方向生长,进而长成单晶薄片。采用这种工艺用时较少,而且节省原料,成本较低。而且该工艺生长的PSC一步即可进行探测器组装,无需进行晶体干燥处理,界面缺陷较低。通过这种方法,我们生长出三种PSC片:MAPbCl3、MAPbBr3、MAPbI3,其厚度可控在200μm之内,尺寸为2 mm×2 mm。单晶片可以用来制备高性能的探测器,该器件具有好的热稳定性和933 mA/W的高开关比,比探测率高达4.0×1011 Jones。接着,我们致力于将可将光电探测拓展为红外或者近红外光电探测。硫化铅(PbS)量子点的禁带宽度在0.4 eV-2.0 eV间可调,对应的吸收波段在600-3000 nm;若引进钙钛矿单晶并实现电荷有效分离,即可实现钙钛矿材料的红外探测。于是,将吸收峰在890nm的PbS量子点与钙钛矿MAPbBr3溶液共混,成功制备出高质量的混有PbS量子点的MAPbBr3单晶。相比于纯的MAPbBr3单晶探测器仅在500-600 nm范围内有响应,PbS-MAPbBr3单晶光电探测器将探测范围拓展到了近红外的970 nm。