本文在时域有限差分理论和半导体微纳工艺基础上开展了基于镜像非对称结构超材料太赫兹(THz)滤波器的研究。基于镜像非对称结构，设计了不同尺寸的高品质因子(Q)滤波器，器件工作频率在0～1THz。模拟结果表明，滤波器Q值超过20，同时插入损耗低于-3dB。对单元结构在共振频率下的电场强度和电流密度分布进行了分析，结果表明非对称结构在开口处的电场强度最高，此时偶极子共振被局域在开口处，发生LC共振。感应电流在相邻开口环中呈异相分布，引起了太赫兹电磁场的干涉相消，减少了辐射损耗，提高了Q值。　　基于微纳米加工技术，我们采用双层胶剥离技术，制备了不同尺寸结构的滤波器，并在太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统中进行了器件性能的测试，发现实验结果与模拟结果很好的吻合，但是插入损耗出现较大偏差。分析了产生这种现象的原因，主要来自于微纳工艺的局限性。基于这种工艺的局限性，我们改进了工艺和器件设计方案，在开口处进行了补偿设计，重新制备了滤波器。实验结果表明，器件改进后结构开口处电容结构的完整性得到提高，性能也得到了很大提升，对于同一结构，原来的品质因子Q=8.5，现在达到Q=12。　　最后，在高品质因子太赫兹滤波器结构基础上设计了一种高速电调制太赫兹调制器，在开口处设计介质可调控介电薄膜，通过外加偏置电压调节薄膜介电常数，达到对太赫兹波幅值的高效高速调制。