介电薄膜相关论文
BiTiO介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件.我们采用化学溶液沉积法制备了φ75mmBiTiO介电薄膜,介电常数......
本文通过射频反应磁控溅射法获得了HfOxNy栅介电薄膜,利用椭圆偏振法(SE)测量了光子能量在0.75-6.5eV范围内不同退火温度下HfOxNy......
控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出BiTiO薄膜材料.结果发现,SiO基底温度控制在500......
以天然鳞片石墨为原料，通过hummer氧化法制备了氧化石墨烯(GO)；采用还原性有机大分子聚乙烯亚氨(PEI)对GO进行氧化还原，制备了PEI改性......
本研究用脉冲激光沉积工艺在单晶MgO(001)上沉积了600nm厚的(Ba0.90Ca0.10)(Zr0.25Ti0.75)O3(BCZT)介电薄膜。在650℃原位退火20 m......
通过溶液流延法制备了以聚乙烯亚氨(PEI)改性石墨烯为填料(PEI-rGO)及聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)(PVDF-HFP)为基底的介电薄膜(PEI-......
微型电子器件通常作为传感节点,来构成庞大的数据采集网络,并承担信息监测、数据反馈工作。对这些传感节点稳定地供能,是一个极具......
用正交试验法对BaTiO3薄膜微弧氧化电解液体系进行优化,并对最优电解液体系下所得薄膜的物相组成,元素分布情况、表面形貌及介电性......
BiTiO介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件.我们采用化学溶液沉积法制备了φ75mmBiTiO介电薄膜,介电常数......
本文用脉冲激光沉积技术（Pused laser deposition―PLD）成功的制备了镶嵌在非晶SiO2和高介电材料Lu2O3基体中的Ge纳米晶体,用ANSYS,R......
随着纳米科技的迅速发展（如纳米器件、纳米传感器、微/纳机电系统、微流控装置、芯片实验室等），对材料的电性能及机械性能在高空间分......
金属有机化学气相沉积（MOCVD）,是一种可制备各种高质量薄膜和外延薄层的技术.该文采用低压MOCVD技术,四异丙醇钛为MO源,于500℃下在n......
介质材料作为一种主要的微波器件广泛应用于微波通信领域。介质薄膜材料具有高集成化、低损耗、易耦合等特点，具有潜在的应用前景。......
本文在时域有限差分理论和半导体微纳工艺基础上开展了基于镜像非对称结构超材料太赫兹(THz)滤波器的研究。基于镜像非对称结构，设......
印刷电子技术具有低成本、低污染、大面积、高通量和可柔性化等优点，因而近些年来广受关注。晶体管是信息存储与处理电路系统的核心......
钛酸铅锶(PbSrTi0,BST)和钛酸钡锶(BaSrTi0,BST)能在外加电场的作用下改变自身介电系数的特性，具有应用于可调谐微波器件的潜力。拥......
采用微弧氧化技术在工业纯Ti板表面沉积了BaTiO3薄膜,利用XRD、SEM、EPMA表征了薄膜表面及截面的物相组成、截面结构以及截面元素......
The diamond films have been deposited by the hot filament CVD method on molybdenum substrates from the mixture reactant ......
采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了i22Ti2O7(BTO(和(LaxBi1-x)2Ti2O7(BLT(铁电薄膜,薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示......
第2届国际晶态与非晶绝缘薄膜会议于1998年10月12～14日在香港中文大学召开。会议主席是法国国家电信研究中心的R.Devine教授和香港......
美国应用材料公司宣布了其突破性的Applied Producer EternaFCVD（流体化学气相沉积）系统。这是首创的也是唯一的以高质量介电薄膜隔......
将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式，在半导体GaN上制备介电氧化物／GaN集成薄膜，其多功能一体化与......
全球半导体行业在高级淀积、表面处理和化学机械平坦化工艺等领域的生产力和技术领先企业诺发系统有限公司近日推出了SOLA^TM-业界......
采用溶胶一凝胶法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底上制备了多晶Ca（Zn1/3Nb2，3）O3／CaTiO3（CZN／CT）异质叠层薄膜。XRD分析表明，CZN／CT薄膜的结晶度随退......
电活性聚合物(Electroactive polymer,EAP)是近年发展起来的一种新型柔性智能材料,已成为软材料领域研究的重要组成部分。EAP材料......
金属氧化物半导体作为薄膜晶体管(TFT)的优良沟道材料,在液晶显示器(LCD),有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)以及其他新兴的电子应用......
学位
介电薄膜的相对介电常数是介电材料的重要表征参数之一。在表征未知材料之前，需要用已知材料——二氧化硅验证表征方法的准确性。针......
在过去半个世纪的时间里,以硅集成电路为核心的微电子技术取得了突飞猛进的发展。半导体芯片的集成度不断提高,伴随而来的是其基本......
采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离......
<正> 351 dangling bond:悬挂键 共价键物质内部,在表面附近或内部存在的一些与耦合无关的游离态耦合键就称为悬挂键。352 data fi......
实验采用溶液流延法制备了PVDF、CN-PVA/PVDF以及CN-PVA/PES等介电薄膜材料,测试其介电常数、介电损耗以及介电击穿电压等,并使用S......
鉴于传统磁性存储器的种种缺陷,利用电场迅速调节材料磁矩的新型磁性器件已成为研究的热点。这种通过施加外加电场,使材料内部磁矩......
介电薄膜是应用最广泛的一类功能薄膜，在机械、电子、信息、航天等领域起着越来越重要的作用。但由于其导电性能不好，给它们的沉积制......
BaTiO3、SrTiO3和Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜是典型的电子材料,也是发展最早的钙钛矿型铁电体,具有高的介电常数,因此在当今科技领域中占......
