垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Lasers,简称VCSEL）以其优异的性能有望成为信息时代的新光源。本论文设计和制作了980nm垂直腔面发射激光器，主要内容如下： 对垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算，确定了有源区应变量子阱的材料组分，阱宽，阱的个数等重要参数，设计了垂直腔面发射激光器所需的DBR。对器件的外延片结构进行了设计，以便进行外延生长。 深入研究了垂直腔面发射激光器的关键制备工艺。研究了湿法腐蚀技术，得出了合适的腐蚀液配比、腐蚀温度，做到了精确控制腐蚀深度和腐蚀后的表面质量；研究了湿法选择氧化工艺，对AlAs或Al_xGa_1-xAs在高温水汽中氧化的原理及影响氧化的因素进行了深入探讨，摸索出合适的氧化条件。研究了合金工艺，得到了最佳合金条件。 我们采用湿法腐蚀和选择氧化相结合的工艺，研制出了980nm高功率垂直腔面发射激光器，实现了室温脉冲和连续工作，脉冲激射功率最高为1.7W，连续激射功率最高为1.4W，达到了国内领先，世界先进的水平。