近年来，半导体量子点发光材料，特别是Ⅴ-Ⅵ族宽禁带半导体量子点发光材料，以其激发光谱宽，发射光谱窄和光化学稳定性好等优异的光学性质，在生物医学、环境监测和荧光防伪等领域显示出巨大的应用潜力。阳离子掺杂ZnS量子点作为宽禁带发光材料，掺杂元素的引入对其微观结构和发光性能产生重要的影响，因此对掺杂ZnS量子点的调控合成，并深入研究不同掺杂离子对其微观结构和发光性能的影响，具有重要的理论和实际意义。本文采用共沉淀法，以ZnS基质为研究对象，重点探讨了阳离子(Mn²⁺、Co²⁺)掺杂ZnS量子点的微观结构、发光性能和形成机理，并对其在荧光防伪油墨中进行了探索性的应用，具体主要内容如下：（1）采用共沉淀法，利用3-巯基丙酸（MPA）作为表面修饰剂，制备了水溶性ZnS量子点，结果表明：水溶性ZnS量子点为立方闪锌矿结构，形貌呈不规则球形，颗粒较均匀，粒径主要集中在4.8nm左右；在280nm激发下，ZnS量子点出现两个发射波峰，分别可归属于ZnS表面态缺陷发射和带边发射，在320nm激发下，ZnS为单峰发射，发黄色荧光，且发光强度明显增强。同时，本文分别探讨了不同S/Zn、MPA/Zn比例对水溶性ZnS量子点发光性能的影响，发现在Zn/S=3:1、MPA/Zn=4:1时，水溶性ZnS量子点的发光性能最佳，且对其发光机理和形成机理进行了研究。（2）采用共沉淀法，利用3-巯基丙酸（MPA）作为表面修饰剂，制备了Mn²⁺掺杂水溶性ZnS量子点，结果表明：微量的Mn²⁺掺杂在ZnS的（111）晶面出现一个杂峰，但对ZnS的物相没有产生影响，所得Mn²⁺掺杂水溶性ZnS量子点仍为立方闪锌矿结构，其粒径比纯ZnS量子点略有增大，主要集中在9.7nm左右；在320nm激发下，Mn²⁺掺杂ZnS量子点出现两个发射波峰，分别位于587nm和637nm处，其中587nm处的发射波峰为ZnS表面态缺陷发光，而637nm处的发射波峰则属于Mn²⁺:4T1-6A1能级特征发光。同时，本文分别探讨了不同Mn²⁺浓度、MPA/（Zn+Mn）比例对Mn²⁺掺杂水溶性ZnS量子点发光性能的影响，发现在Mn²⁺掺杂量为2%（摩尔分数）、MPA/（Zn+Mn）=4.0时，Mn²⁺掺杂水溶性ZnS量子点的发光性能最佳，且对其发光机理和形成机理进行了研究。（3）采用共沉淀法，利用3-巯基丙酸（MPA）作为表面修饰剂，制备了Co²⁺掺杂水溶性ZnS量子点，结果表明：Co²⁺是以替代Zn²⁺的方式进入ZnS晶格内部，微量的Co²⁺掺杂并未对ZnS的物相产生影响，所得Co²⁺掺杂水溶性ZnS量子点仍为立方闪锌矿结构，其颗粒较均匀，粒径主要集中在5.2nm左右；在320nm激发下，Co²⁺掺杂ZnS量子点为单峰发射，可归属于杂质能级(Co²⁺:⁴A₁—⁴T₁)与缺陷的复合发光，其发射波峰位于728nm处，发红色荧光，且发光强度明显增大。同时，本文分别探讨了不同Co²⁺浓度、MPA/（Zn+Co）比例对Co²⁺掺杂水溶性ZnS量子点发光性能的影响，发现在Co²⁺掺杂量为4%（摩尔分数）、MPA/（Zn+Co）=5.0时，Co²⁺掺杂水溶性ZnS量子点的发光性能最佳，且对其发光机理和形成机理进行了研究。（4）采用Mn²⁺掺杂ZnS量子点为荧光剂，分别利用钛白粉、水性丙烯酸树脂及丙烯酸乳液为颜料和连接料，通过大量正交实验，确定了一种水性荧光防伪油墨配方，结果表明：该荧光防伪油墨的细度主要中在15μm左右，细度分布较均匀，具有良好的流动性和着色性能，其粘度在20Pa.s³0Pa.s之间，可以满足水性油墨柔版印刷的要求；在320nm激发下，该油墨为双峰发射，其峰位分别位于587nm和637nm处，以637nm处Mn²⁺:4T1-6A1的特征峰发射强度最大，但与荧光剂637nm处的发光强度相比，其发光强度明显降低。同时，本文分别探讨了不同钛白粉含量、荧光剂含量及氨水含量对该水性荧光防伪油墨性能的影响，发现在钛白粉含量为15%²0%，荧光剂含量为4%⁶%，氨水含量为0.6%⁰.7%时，本文荧光油墨的印刷适应性能最佳。