氮化镓(GaN)半导体材料作为第三代半导体的代表,其体现出来比重小、比强度突出、能量吸收理想等积极优势,已成为全球半导体科研方面的热点问题,引起了众多人员的充分关注。现阶段,在多孔GaN材料的工业化制备中,最常用的技术为干法刻蚀(ICP),其最大优势为能够借助整齐规律的掩膜制作得到排序工整、孔径外观大体一致的纳米多孔结构。但这种技术不仅选择性低、成本昂贵,并且由于热损伤和等离子还会损伤GaN材料而影响器件特性。作为湿法刻蚀的代表之一,电化学刻蚀技术可以较好的解决这些问题。目前,发展电化学刻蚀已经成为一种流行趋势。但当下这种方法来制备多孔GaN纳米材料的研究仍旧处于试验阶段,由于电化学刻蚀中各参数的影响仍没有被充分了解,孔的刻蚀情况非常复杂,尤其电解液对于刻蚀得到孔的影响研究较少,电化学的刻蚀机理也在探索之中。针对于此,本文以电化学刻蚀多孔GaN材料作为主线,做了如下工作:1)自组装电化学刻蚀设备,采用Si材料代替GaN材料进行实验参数设计,并将实验结果与文献结论比较,以此验证自组装电化学刻蚀设备的可行性。2)研究刻蚀电压对多孔GaN材料形貌的影响,其中刻蚀电压变化范围为10V-25V,多孔GaN材料的平均孔径大小和孔洞率呈现逐渐增加趋势,多孔GaN材料的孔密度呈现先增加后下降趋势。随后利用能带模型,结合实验表征结果进行理论分析。3)重点研究电解液浓度对多孔GaN材料形貌的影响,电解液具体分为酸、碱、盐三类。当KOH电解液浓度为[20%,50%]时,多孔GaN材料的平均孔径大小和孔洞率呈现先增加后减小趋势,孔密度呈现先减小后逐渐增大的趋势;当HF电解液浓度为[10%,40%]时,多孔GaN材料平均孔径大小和孔洞率逐渐增大,孔密度呈现逐渐减小趋势;当NaCl电解液浓度为[10%,20%]时,GaN样品平均孔径大小和孔洞率均呈现出逐渐增大的趋势,孔密度则逐渐减小,且GaN样品的孔分布均匀且形状规律。最后着重通过动力学模型,推导得出刻蚀速率公式,结合实验表征结果进行理论分析。理论分析和实验结果均表明:在电化学刻蚀制备多孔GaN材料时,通过改变刻蚀电压和电解液浓度可以实现对孔尺寸、孔洞率、孔密度等孔形貌的控制。