【摘 要】
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该文针对CdSe/ZnCdSe材料构成的方开双势垒、三势垒以及抛物形双势垒结构进行的数值计算表明:电子横向波数的增加使得共振峰向低能区移动,高能态共振峰移动的效果更为显著,而
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该文针对CdSe/Zn<,1-x>Cd<,x>Se材料构成的方开双势垒、三势垒以及抛物形双势垒结构进行的数值计算表明:电子横向波数的增加使得共振峰向低能区移动,高能态共振峰移动的效果更为显著,而且还使得共振峰加宽,峰谷比减小.这一结果也同样适用于外国偏压的情况,外加偏压使得电子横向运动的作用更为重要.总之,对于此类结构,无论有无外加偏压,电子横向运动都是不容忽视的.在研究J-V特性时,以隧穿电流密度分工作二重积分近似,得到与Esaki模型所得的结果不同的J-V曲线,并讨论了温度、混晶效应对J-V曲线的影响.
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