隧穿电流相关论文
氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显......
为了减小栅漏电流,本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga 0.755N/GaN异质结构间插入了3nm的薄铝层,并对这种新结构的肖特基结和传统Ni/Au肖特......
本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧......
当前,如何显著减小纳米集成电路功耗已成为国内外研究和关注的焦点问题,众多新型低功耗半导体器件脱颖而出,而隧穿场效应晶体管(TF......
石墨烯是目前发现的唯一存在的二维自由态原子晶体，是构筑零维富勒烯、一维碳纳米管和三维体相石墨等sp2杂化碳的基本结构单元，具有......
在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一......
1.本论文测量了室温下氮化镓基紫光发光二极管的电学特性和光学特性，以及温度在20 K～290 K范围内变化时的电流电压曲线，发现与氮化镓......
该文针对CdSe/ZnCdSe材料构成的方开双势垒、三势垒以及抛物形双势垒结构进行的数值计算表明:电子横向波数的增加使得共振峰向低能......
近年来由于微纳加工技术的成熟,人工纳米结构被广泛的研究,人们积极探索各式各样的纳米材料的力学、热学、光学和电磁性质,其中纳......
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个......
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品......
基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实......
对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿......
对多年来超晶格多量子阱中的电子谱滤波及相关研究成果进行了总结、归纳,并研究了纳米面材料的电子滤波,超晶格多量子阱中的电子谱......
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程，得到电子的量子化能级和相应的浓度分布，利用MWKB方法计算电子隧穿几率，从而得到不......
共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿，是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一......
通过闭管扩散方式，在NIN型InP／In0.82Ga0.18As／InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件，研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电......
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型.该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑......
通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩......
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET）隧穿电流的影响。中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方......
随着器件尺寸逐渐逼近物理极限,硅基器件中硅与二氧化硅界面的微小变化都会对器件特性造成很大的影响,基于此,运用桥氧模型构建了......
隧穿电流的大小依赖于带阶的大小.内建电场会改变多量子阱的结构,使其由方阱变为斜阱,导致其带阶发生改变.本文定量地给出了由内建......
在超晶格薄膜组成的量子井双势垒二极管器件（DBRT）的外部施加单轴压力,会使得器件内部的薄膜发生应变——薄膜的几何尺寸会改变。在......
以单个Cu原子在Si(111)-(7×7)层错半单元(F-HUC)内的随机扩散运动研究为例,演示了一种新的可以测量快速扩散运动的扫描隧道显......
通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间tbd的差异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致......
航空大气数据测量系统是保障飞行器飞行安全的重要机载设备,测量的核心参数之一是气压,气压测量的关键是作用于测量系统最前端的气......
学位
根据氧化锌压敏电阻的微观结构,提出了势垒交错导致共振隧穿的模型,并运用传递矩阵法合理地解释了ZnO压敏电阻的隧道效应,所得的隧......
利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对Ti／Al—GaN接触的影响，氮气中600C退火60s可以获得欧姆接触．实验结果表明，退火温度......
在n-型掺杂弱耦合GaAs／AlAs超晶格中，沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场，研究电子的隧穿过程．随着磁场的增加，相邻量子阱基态间的......
本文先介绍了非费米液体，再利用线性响应理论研究正常金属与非费米液体间的隧道，证明了隧穿电流与电压的关系取决于非费米液体特征，可......
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有机光电材料由于具有宽能隙、高发光效率和制备简单等优点而成为光电功能材料领域的研究热点之一。有机晶体及其溶液对光的散射性......
主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I-V特性以及......
随着MOS器件尺寸按比例缩小到亚100 nm时代,栅绝缘层直接隧穿(Direct Tunnel-ing,DT)电流逐渐增大.使用Si3N4材料作为栅介质,利用......
在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性......
随着器件尺寸逐渐逼近物理极限,硅基器件中硅与二氧化硅界面的微小变化都会对器件特性造成很大的影响,基于此,运用桥氧模型构建了......
发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进......
期刊
在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一......
AlGaN基紫外发光二极管(UV-LED)在水质净化、医疗、计算机存储、生物探测科学等领域有着非常广泛的应用前景。近年来由于Ⅲ族氮化......
Ⅲ族氮化物,包括InN,GaN,AlN以及它们的合金。因为它们具有直接带隙结构,而且其带隙宽度从0.7eV到6.2eV连续可调,很适合用以制造固......
ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的光学、光电和电子输运等性质,在发光器件、激光器、压电传感器、气敏传感器、光电导......
自从金属-氧化物-半导体（MOS）器件出现以来，集成电路的集成度按照摩尔定律增加，相应地，器件的物理尺寸按照等比缩小的原则不断缩小，SiO2......
