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钛酸锶钡铁电薄膜因具有良好的铁电、介电、压电和热释电等性能而受到重视，这些性质使它们可应用于与硅电路集成的动态随机存储器。本论文的工作主要研究了利用脉冲激光法，在硅基片上沉积多晶的钛酸锶钡铁电多层膜，使其介电常数增强的同时，保持较低的介电损耗。通过对多层膜结构和性质的系统研究，分析了多晶的多层膜中介电增强效应的形成机理。论文的研究结果如下： （1）周期厚度对钛酸锶钡多层膜的影响 采用脉冲激光法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上沉积了多晶的BaTiO3／Ba0.6Sr0.4TiO3、BaTiO3／Ba0.2Sr0.8TiO3、BaTiO3／SrTiO3三种多层膜，研究发现周期厚度明显影响多层膜的介电性质，通过改变周期厚度，在三种多层膜中均发现了介电常数增强的现象。在BaTiO3／Ba0.6Sr0.4TiO3多层膜中，当周期厚度为60nm时，介电常数高达1336，介电损耗仅为0.04。在BaTiO3／Ba0.2Sr0.8TiO多层膜中，当周期厚度为80nm时，介电常数为890，介电损耗为0.04。在BaTiO3／SrTiO3多层膜中，当周期厚度为60nm时，介电常数为721，介电损耗仅为0.0334。研究同时表明，在硅基多晶的多层膜中，不同介质材料的接触处存在明显的界面层，正是这一特殊的界面层导致了介电常数的增强，该介电常数增强的现象与Maxwell-Wagner效应相关。 （2）后处理对钛酸锶钡多层膜的影响 利用脉冲激光沉积法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上，沉积了单层厚度为48nm的多晶BaTiO3／Ba0.2Sr0.8TiO3多层膜，通过对薄膜进行热后处理，研究了其介电性质。研究发现，薄膜经过热处理后，相对介电常数明显增大，而介电损耗变化不大。经过2.5小硅基多晶钦酸铭钡铁电多层膜的结构与介电增强效应中文摘要时后处理的多层膜，其相对介电常数高达891，而介电损耗仅为0.038。作者采用MW模型对实验数据进行了解释，结果表明，在合理的参数下，模拟曲线与实验结果相吻（3）薄膜厚度对钦酸银钡多层膜的影响 利用脉冲激光沉积法在P灯Tl/5102/Si衬底上，沉积了不同总厚度的多晶BaTIO3忍aoZsro.STio3多层膜，研究了周期厚度、界面数对薄膜介电性质的影响。研究表明，在相同界面数的情况下，厚度对薄膜的介电性质影响较大。在薄膜厚度为240nm时，多层膜的介电常数为810，介电损耗为0.036。同样，在保持周期厚度相同的前提下，薄膜厚度对介电性质也产生较大的影响。在薄膜厚度为32Onln时，多层膜的介电常数为913，而介电损耗仍然保持在较低的水平，仅为0.036。分析表明，实验结果与界面空间电荷极化有关，通过对实验数据进行MW理论分析，发现拟合结果与实验数据相符合。