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金属卤化物钙钛矿材料是一类新兴的可溶液法加工半导体材料,在光电子器件(发光二极管LED)中应用前景十分明朗。基于这些材料的LED器件可以应用于显示和照明设备,因为它们可以通过相对简单的溶液法制备,制备成本较低,而且制备的薄膜具有较高荧光量子产率(PLQY)可提供较窄发光峰和颜色易调。钙钛矿发光二极管是经过在基底上沉积多层薄膜制作而成。因此,各功能层的界面对器件性能影响至关重要。我们通过调控钙钛矿发光层的形貌来降低界面对器件的不良影响。本论文首先利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对钙钛矿薄膜的形貌进行了细致的分析。随后,我们利用紫外-可见分光光度计,荧光分光光度计和电致发光测试系统对钙钛矿薄膜进行了光学和器件发光性能详细的分析与测试。同时,意识到混合卤化物蓝光钙钛矿发光二极管在持续偏压下器件的真正退化机理仍然缺乏深入的了解。本文也针对这个问题,做出了系统的探究。(1)全无机钙钛矿具有良好的热稳定性,然而成膜性较差影响载流子的复合制约了器件性能的提升。因此,通过控制晶粒尺寸并改善钙钛矿薄膜的形貌来降低发光层与空穴层和电子层界面对器件的影响。我们提出一种简便而有效的方法,通过在CsPbBr3前驱体溶液中加入不同质量的卵磷脂(LE)来制备具有纳米级的晶粒和使钙钛矿薄膜表面粗糙度降到2.2 nm,钙钛矿薄膜均匀性得到明显改善。此外,CsPbBr3-LE薄膜在空气环境中展现了优异的荧光稳定性和基于CsPbBr3-5 wt%LE薄膜的LED器件表现出优异的性能,电流效率(CE)最大值为24 cd A-1,外部量子效率(EQE)最大值为6.5%。(2)目前蓝光钙钛矿发光二极管是研究热门,将氯(Cl)与溴(Br)基的钙钛矿混合以调整带隙是制备蓝光发射型钙钛矿薄膜的一种简便方法。然而,对于基于混合卤化物体系的钙钛矿电致发光二极管在持续电压偏置下的真正退化机理还缺乏深入的研究。因此,我们通过把适量的阴离子型表面活性剂吐温60引入到PEDOT:PSS溶液中来调控PEDOTiPSS薄膜的形貌,从而获得高质量的钙钛矿薄膜。这样可以改善空穴层/发光层界面处光学和电学性能。然后我们成功地制备了一种天蓝色钙钛矿电致发光二极管,器件的EL发光波长为488 nm,外量子效率(EQE)最大值为4.0%,并且亮度为73 cd m-2。此外,我们阐明了混合卤化物蓝光钙钛矿电致发光二极管在连续偏压下的退化机理。在持续偏压下(5V@4h),钙钛矿薄膜表面形成孔洞,增加氯离子(Cl-)的数量,表面电位明显降低。因此,这些结果表明,氯离子迁移导致混合卤化物蓝光钙钛矿电致发光二极管的器件退化。