【摘 要】
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ZnO是一种宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，明显高于室温下约26 meV的热动能，从而具有优异的紫外发光性能。ZnO作为新一代抗辐射、高频、大功率和高密度紫外发光器件和光探测器件的重要候选材料，引起了人们的广泛关注和深入研究。近年来，人们对ZnO薄膜的研究在实验和理论方面都取得了显著的进展，但对ZnO绿带发射机制研究、生长工艺改进、提高薄膜质量和稳定性
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ZnO是一种宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，明显高于室温下约26 meV的热动能，从而具有优异的紫外发光性能。ZnO作为新一代抗辐射、高频、大功率和高密度紫外发光器件和光探测器件的重要候选材料，引起了人们的广泛关注和深入研究。近年来，人们对ZnO薄膜的研究在实验和理论方面都取得了显著的进展，但对ZnO绿带发射机制研究、生长工艺改进、提高薄膜质量和稳定性、改善薄膜的发光性能等方面还需要进一步研究和探讨。在ZnO的诸多制备方法中，溶胶-凝胶法具有合成温度低、
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