偶氮染料是当今种类最多、使用最广泛的一类染料。但是在生产和应用过程中,高达10%-15%的染料未经处理就被排放到环境中,对人类的生活和健康造成了巨大威胁。因此,排放前对其进行无害化处理是目前控制偶氮染料废水污染的最好方法。目前,传统的处理偶氮染料废水的方法效果不佳,在处理偶氮染料污染的同时,可能会造成更为严重的环境危机（例如活性泥法,在厌氧条件下可能会生成对人类危害更大的芳香胺类物质）。因此,人们迫切需要寻找一种高效、清洁、可持续的方法来解决偶氮染料废水问题。在这种背景下,半导体光催化技术走进了人们的视野。然而光生电子-空穴对分离不彻底、电子和空穴复合率高等缺点在一定程度上限制了单一半导体光光催化剂的活性。为了解决上述问题,该工作选用一种新型的纳米碳材料（碳量子点）来修饰半导体光催化剂,希望能够大幅度的提升其对偶氮染料（甲基橙）的光催化降解活性。具体研究内容如下:（1）CQDs/ZnFe₂O₄复合材料是通过一种简单的超声波辅助法制备的。各种表征结果显示:ZnFe₂O₄微球被低对比度的碳量子点层包覆,形成了一种核壳结构。为了研究CQDs/Zn Fe₂O₄复合材料的光催化性能,我们以制备的复合材料为催化剂进行了光催化降解亚甲基蓝的研究,结果表明:当碳量子点的负载量为20%（质量分数）时,CQDs/ZnFe₂O₄复合材料的光催化性能最优,大约是纯Zn Fe₂O₄样品的5.9倍。基于固体紫外-可见吸收、荧光、阻抗等分析结果,我们提出了光催化活性提高的可能机理。（2）通过一步水热法合成了一种新型的碳量子点修饰In₂S₃微球光催化剂,与纯In₂S₃相比,该催化剂表现出优异的偶氮染料降解活性（120 mim内可以实现对甲基橙近90%的光催化降解）。通过大量的实验和表征,我们发现:碳量子点修饰In₂S₃微球光催化剂具有优异的光催化活性的主要原因是碳量子点的上转换荧光功能和优异的电子转移能力。基于捕获实验、电子顺磁共振分析、紫外-可见吸收和理论计算可以确定·O2-和h+是光催化过程中的主要活性物种,进而提出了可能的光催化降解机理。（3）该部分工作主要研究CQDs/Bi4O5I2复合材料在可见光下降解偶氮染料甲基橙的性能。为了更好的突出碳量子点修饰半导体光催化剂用于光催化降解偶氮染料废水的优势,我们选取并制备最具代表性的Bi2S3/Bi4O5I2复合材料与