目前关于向列相液晶的理论研究，都是采用经典理论。如翁萨克(L．Onsager)分子场理论，朗道—德燃纳(L．Landau-P．G de Gennes)理论，梅尔(W．Maier)—邵普(A．Saupe)平均场理论。考虑到液晶作为有相互作用的多体系统，多体效应或集体激发对宏观性质有重要的影响。由于量子理论至今已经发展的比较成熟，并成功的解决了许多问题，因此本文采用了自旋波理论研究向列相液晶，首次将量子理论引入到液晶的研究上来。 由于液晶分子的长轴取向与分子绕长轴转动的角动量方向一致，可以把分子取向用角动量算符表示。在格子模型下得到哈密顿算符，经霍斯坦因—普里马可夫变换后，形式上与铁磁体自旋波理论中哈密顿算符相同，进而计算了序参数S与约化温度的关系。在远离相变点的低温区，与平均场理论和计算机模拟得到的结果相比，我们的结果与实验值符合的最好；在靠近相变点的高温区，考虑高阶效应的影响后，理论值与实验值也有较好的符合。这说明多体效应是重要的。