微电子封装技术通过将微电子产品的各个单元连接起来实现器件功能的互连技术。在电子制造业中,电子元件通过焊点与印刷电路板（PCBs）相连,金属基板对电子封装的可靠性起着至关重要的作用。其中,镍和铜都是非常常见的金属基板。镍在Cu₆Sn₅中显示出相当大的溶解度。热力学分析表明,Ni添加剂能稳定（Cu,Ni）₆Sn₅的结构。铜也因其比铝更优良的导电性能和对电迁移的敏感性而在工业上得到广泛的应用。微型化的发展趋势导致焊点尺寸向微尺度减小,这对如电迁移、热迁移、晶体取向和基片间的交互作用等产生了严重的影响。电迁移（EM）已成为倒装芯片焊点最令人担忧的关键可靠性问题之一。迄今为止,在Sn基焊点中已有大量电迁移引起的不同失效模式的报道。而不同基板对焊点电迁移的影响仍需进一步研究。本文采用同步辐射实时成像技术原位观察了Cu/Sn/（001）Ni和Cu/Sn/（001）Cu线性焊点的电迁移行为,阐明了IMC的生长机理,并对电迁移过程中IMC和基板之间的取向关系进行了表征。结果表明,电流驱动下,Cu/Sn/（001）Ni线性焊点中IMC形貌由初始的相互垂直转变为短棒状,而Cu/Sn/（001）Cu线性焊点中的IMC形貌得以保持。电流驱动能加速IMC生长,在Cu/Sn/（001）Ni线性焊点中,IMC的生长速率为2.92μm/min,略低于Cu/Sn/（001）Cu焊点中IMC的生长速率。电迁移过程中,（Cu,Ni）₆Sn₅的[0001]方向逐渐趋于与电流方向平行,直至形成全IMC焊点结构;而单晶Cu基板上形成的IMC与基板之间存在如下取向关系:{001}_Cu∥{11-20}_Cu,6Sn5,<011>_Cu∥<0001>_Cu6Sn5。利用电流驱动键合（CDB）的方法能够制备具有择优取向的全IMC焊点结构,这在三维集成电路（3D-IC）封装中具有潜在的应用价值。