随着CMOS技术接近其物理极限,出现了很多新的解决方案。纳电子学能够克服现有的半导体工业所固有的限制,逐渐成为最有前景的技术之一,最近已经取得了不少突破。在本文中,首先我们描述了几种纳米器件的原理,介绍了一个用于纳电子器件模拟的UDM模型(Universal Device Model)。纳米器件所带来的好处与缺点也进行了概述。本文通过对UDM模型原理的分析,提出了适合纳米交叉器件的拟合精度高、拟合公式相对比较简单的方法,并讨论了各种因素对拟合结果产生的影响。该方法能够有效地模拟纳米交叉结构的双稳态磁滞型伏安特性曲线。基于纳米交叉杆的存储器一般由外围的微-纳结构多路选择器和内部的存储阵列组成,一般的访问方法会出现“误读”现象,要通过接地等措施予以消除。要想在高密度存储的基础上实现快速读写必须研究并行读写方法。并行读写的基础是并行寻址,一种可选的并行寻址方式是地址加掩码的模式,这种模式后再加一个筛选向量即可大大增加并行寻址的灵活度。纳米交叉杆存储器的并行写可分为写1和写0两个子过程,安排最佳的并行访问方式是二维平面上的背包问题。并行读过程可以一次将一行或一列的内容读取出来。