硅基扩镓溅射Ga<,2>O<,3>反应自组装和热壁化学气相沉积制备GaN薄膜的研究

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【摘要】

：

GaN是一种十分优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下，GaN的禁带宽度为3.4eV，是制作光电子器件，尤其是蓝、绿发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)的理想材料。此外，GaN也是制作高温、高频、大功率器件的理想材料。进入90年代之后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善，一些突破性技术的实现使GaN材料的研究空前活跃，GaN已经成为世界各国

【作者】

：

孙振翠

【机构】

：

山东师范大学

【发表日期】

：

2004年04期

【关键词】

：

GaN 热壁化学气相沉积射频磁控溅射氮化纳米结构

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