二硒化钼作为一种新兴的二维材料,其独特的能带结构和优异的机械性能引起了人们极大的关注,已有研究表明它在光电领域中存在着巨大的应用潜能。但目前由于制备方法的不成熟,它的实际应用仍然很难实现。针对于此,本文详细研究了其化学气相沉积(CVD)的制备方法,探讨了其中二硒化钼的辅助生长和形状、尺寸及层数的可控制备。具体如下:1、采用控制变量法对生长条件、衬底和前驱体三个方面辅助二硒化钼生长的可能性进行了探索,重点研究了:(1)H2对单层二硒化钼生长的影响规律:加入H2后促进了反应过程中的还原和硒化,同时减小了中间产物或副产物的生成,衬底上明显更容易生长出单层二硒化钼。(2)衬底对单层二硒化钼生长的影响规律:采用斜置face-down的SiO2/Si片为衬底,加大了衬底表面气流量从而减小了边界层厚度,增大薄膜沉积速率,使生长单层二硒化钼更简单、更均匀。(3)钠盐NaCl对单层二硒化钼生长的影响规律:Mo03中加入NaCl后加快了 Mo03的升华和其硒化的速率,衬底上生长的单层二硒化钼明显更多更密集。同时对于生长出的样品进行了诸如原子力显微镜、光致发光光谱等多种表征手段的测试,证明了它为严格的单层并且具有良好的均匀性、合理的化学计量比以及优秀的发光效率。2、形状、尺寸及层数的可控制备。在辅助生长条件下进一步研究二硒化钼的可控制备。通过调节H2含量和生长时间实现对二硒化钼形状的控制,并对这种形状演化的机理展开了探讨;通过调节气流量和NaCl用量实现对二硒化钼尺寸的控制,最大尺寸能得到约120 μm的三角形单层单晶、约150 μm的六边形单层单晶和横向尺寸约300 μm单层连续膜;最后通过调节衬底与Mo03/NaCl的垂直距离实现对二硒化钼层数的控制。图54幅,表3个,参考文献56篇。