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以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料因其禁带宽度大（~3.4eV）、临界击穿场强高（~3.3×106V/cm）、电子饱和速度大（~2.7×107cm/s）、热导率高（~2W/cm·K）等优势，使之在电力电子器件设计与制造领域展现出了较大的优势，并有望成为在600V~1200V中等电压领域替代传统硅（Si）基器件的理想材料。功率开关管是构成电力电子系统的核心器件，设计一种具有高关态耐压、低导通电阻、高开关速度且具有逆导功能的GaN功率开关管具有较大的实际应用价值。本文提出一种高性能GaN逆导功率开关管，主要内容如下： （1）提出一种具有分立栅结构特征的纵向逆导GaN功率开关管（A Split Gate Vertical GaN Power Transistor with Intrinsic Reverse Conduction，RCVFET）。RCVFET的主要特征为：1、逆导通路与正导通路相分离，该器件在逆导工作时，利用源极肖特基结导通电流，使导通压降大幅降低，相较于利用体 PN 结导通电流的 GaN纵向开关管和利用2DEG沟道进行逆导的GaN横向开关管，该器件结构不仅能够有效降低逆导导通压降与功耗，而且能极大地缩减反向恢复时间，耐压为800V时，其反向恢复时间为13ns，存储电荷为47nC。2、肖特基结位于两分立栅极之间，并与源极短接，与参考器件相比，其栅极面积大幅减少，栅电荷 QGD和栅极电流分别下降为参考器件的25%和28%，开关时间降低为参考器件的80%，关暂态功耗降低为参考器件的45%。3、该器件的体PN结与肖特基结并联，场板设置于肖特基结两侧，关态耐压时，P型基区屏蔽了大部分指向肖特基结的电场，减少了肖特基结的分压，同时肖特基源极场板降低了肖特基结边缘的峰值电场，抑制了肖特基结的反向漏电。4、采用P型GaN作为栅极，栅极下方引入AlGaN势垒层凹槽，通过调节势垒层凹槽深度实现对该器件阈值电压的调控。借助半导体器件仿真工具Sentaurus-TCAD进行理论计算，当凹槽深度在4nm~10nm范围内变化时，可在0.7V~2.1V范围内调控阈值电压。当JFET区宽度LJFET=5.0μm，肖特基源极场板长度LFP=1.0μm时，器件关态耐压BV=1800V，比导通电阻Ron=0.98mΩ·cm2。 （2）讨论器件LSS，LJFET等关键参数的变化对器件特性所造成的影响。论述该器件所存在的寄生PNP三极管效应。利用Sentaurus-TCAD协同仿真表征该器件的反向恢复特性和栅电荷大小。搭建800V转380V直流降压变换电路（DC-DC Buck Converter）模型，表征该器件的开关速度和关暂态功耗并与参考器件（GaN CVFET）对比。设计并提出“先栅”工艺流程以供参考。