自2004年发现石墨烯以来，在许多学科中，二维材料独特的电学、化学、热学和光学性质引起了相当大的关注，在此后的十余年间开创了一个全新的领域。目前过渡金属硫化物中的二硒化钼相对其他材料来说是研究最少的，探索二硒化钼及其范德瓦尔斯异质结的动力学过程及其潜在应用，对于丰富该研究领域内容、拓展学科发展具有重要意义。本文采用机械剥离技术成功设计并制备二硒化钼单层及其范德瓦尔斯异质结，研究了二硒化钼单层及其范德瓦尔斯异质结构的动力学和发光过程。
　　本文中利用六方氮化硼薄层部分覆盖二硒化钼单层来制备样品，并利用其改变局部介电环境来控制二维半导体中的激子输运。这为激子器件室温操作和激子输运控制提供了新的解决办法。在对样品的测试中，利用光致发光测量、时空分辨差分反射测量等研究了二硒化钼中的激子动力学过程。
　　利用matlab构建刚性位移模型，提出一种理论模拟方法来描述激子的输运过程，计算出激子在50皮秒内移动约200纳米的距离，精确地确定了激子输运速度的数量级。这些结果表明,范德瓦尔斯介电屏蔽可以有效地控制二硒化钼单层半导体中激子的输运，这有助于理解介电环境对二维半导体电子和光学性质的影响。
　　合理地设计了由单层二硒化钼-二硫化钨-二硫化钼构成的三层范德瓦尔斯异质结，首次观察到在该异质结构中的上转换光致发光现象。以该三层异质结为研究对象，用670纳米的低能激光激发样品，获得了620纳米的光致发光。该结果源于电子和空穴分别从二硒化钼和二硫化钼层转移到二硫化钨中间层并在那里重新复合。该研究结果首次揭示了范德瓦尔斯异质结上转换光致发光的物理机制，为其在光电子器件上的应用提供了一定基础。