NAND Flash存储数据残留会导致严重的数据安全问题，存储数据逻辑销毁技术成为了重要研究内容。覆写是数据销毁的重要方法之一，覆写内容和次数的选取依据值得探索，特别是选择最佳的覆写序列和最少的覆写次数，对NAND Flash存储数据应急销毁是非常重要的。本文分析了NAND Flash存储数据攻击模型，探索逻辑销毁安全与覆写序列和次数的关系，重点研究了基于覆写和跳变总数的NAND Flash存储数据逻辑销毁技术。1．分析了NAND Flash的存储原理和特性、NAND Flash存储数据的逻辑销毁方法和主要的NAND Flash存储数据逻辑销毁标准。2．从攻击者的角度分析NAND Flash存储数据攻击条件与目标，研究提出了基于覆写和跳变总数的NAND Flash存储数据恢复概率模型，详细地分析了恢复概率曲线特征，以及恢复概率与销毁覆写序列和覆写次数的关系，给出了安全销毁区间的概念，对研究NAND Flash逻辑销毁技术具有理论指导意义。3．设计了一种基于密文保护的NAND Flash型密码载体应急逻辑销毁方案。该方案由数据加密机制和NAND Flash存储数据应急逻辑销毁算法两部分组成，支持敏感信息快速销毁和密文优化销毁。4．设计了一种具有逻辑销毁功能的NAND Flash控制器，并对该控制器进行功能仿真与性能分析，验证了NAND Flash型密码载体应急逻辑销毁方案的可行性。