有机电双稳态器件（organic electrical bistability devices,OEBDs）具有低成本、易加工、小体积、快响应、低功耗和高存储密度等优点,在未来的信息存储和逻辑电路方面有着非常广阔的应用前景,正受到们越来越多的关注。但是有机电双稳态器件的工作原理还没有得到很好的理解,并且工作过程中所涉及的新概念、新理论等基本科学问题以及制备和加工过程中所涉及的新结构、新方法、新技术和新材料还有待进行深入的研究。基于以上的目的本文主要论述了以下的内容:1,论述现有有机电双稳器件的特性,有机电双稳器件的制备方法与测试,以及信息存储类电双稳器件应具备条件。2,详细论述了现有M-TCNQ类有机络合物电双稳器件及其性质,其中主要包括Ag-TCNQ电双稳器件、Cu-TCNQ电双稳器件,和其他类型TCNQ络合物电双稳器件。3,介绍了八羟基喹啉锌（Znq₂）薄膜器件的制备及其电双稳特性,推测其导电态的转变可能是由于电场影响分子的排列而实现的。通过对CuPc有机薄膜器件的Ⅰ-Ⅴ曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性。研究了膜厚对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750mn器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51V。Ag底电极器件的转变电压（9.6V）与ITO底电极器件的转变电压（7.47V）不同,简要分析了造成这种区别的原因。并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释。4,分析了现有基于电双稳特性的聚合物存储器,讨论存储器的制备和特性,主要包括电双稳态聚合物闪存存储器（flash memory）、WORM（write-onceread-many-times）存储器和动态随机存储器（DRAM:dynamic random accessmemory）。