沿面介质阻挡放电等离子体中表面电荷的实验研究

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhaoxiufen
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
大气压介质阻挡放电在臭氧产生、气体净化和材料表面改性等许多领域具有广泛的应用,其中沿面介质阻挡放电(Surface Dielectric Barrier Discharge,SDBD)能够诱导壁面射流的产生,在流动控制方面有较大的前景。相比其它的流动控制技术,SDBD等离子体激励器具有结构简单且易于安装、不需要改变飞行器外形、能耗低、响应速度快等优点,因此成为流动控制领域的一个研究热门。目前,已存在多种增强SDBD等离子体激励器电流体动力(Electro-hydro-dynamic,EHD)效应的方法,在一定程度上对激励器性能进行了优化,但距离实际应用仍存在较大差距。为寻找突破性方法,人们希望通过对EHD效应机理的研究为激励器的优化提供理论指导。研究发现,SDBD等离子体激励器的表面电荷积累对体积力有重大影响。因此,对放电过程中的表面电荷积累进行研究,有利于深入理解EHD效应,有可能实现对表面电荷进行调控从而提升EHD效果。本文采用交流–纳秒脉冲双高压驱动沿面介质阻挡放电等离子体激励器,基于电光晶体的普克尔斯效应,以放电过程中的表面电荷为研究重点,开展了以下工作:1.搭建了SDBD等离子体激励器表面电荷测量系统,通过将BSO晶体嵌入介质,实现了对放电过程中表面电荷的可视化测量。将上电极与脉冲电压相连,下电极与正弦交流电压相连,正、负脉冲分别叠加至正弦电压的波谷、波峰,分别在丝状放电和类辉光放电阶段产生一次脉冲增强放电。通过拍摄表面电荷积累图像,研究了不同放电阶段的电荷分布特性。研究发现,电荷积累轨迹与放电形态有关,丝状放电阶段的正电荷积累轨迹为长而稀疏的细丝状,类辉光放电阶段的负电荷主要积累在暴露电极附近且分布较为均匀。增强的类辉光放电阶段发生“三维传播”现象,部分负电荷飞跃介质板后积累在表面。通过改变脉冲重复频率(PRF)改变脉冲增强放电的时间间隔,在低PRF下分析表面电荷衰减过程,在高PRF下分析表面电荷积累效应。研究发现,距离暴露电极越远,表面电荷的衰减速率越小。离暴露电极较近的电荷在随后的几个周期内被中和,积累在下游的表面电荷可维持数十至上百个交流周期,之后逐渐扩散。由于丝状放电长度大于类辉光放电,因此在时间平均上表现为下游的正电荷积累,且积累效应随PRF的增加而增大。2.通过在原SDBD等离子体激励器的BSO晶体上方覆盖石英玻璃,使本表面电荷测量系统更具有普适性。通过拍摄表面电荷图像,分析了石英玻璃表面的电荷分布及演化特点。研究发现,正负电荷仍沿流光放电通道积累。正脉冲诱导击穿的丝状放电在传播至电荷积累边界时,传播方向和形态发生变化,可能与传播路径上的表面电荷密度有关。在增强的类辉光放电阶段,负电荷沿着前半周期丝状放电的轨迹积累,即表现出记忆效应。在低PRF下分析电荷衰减过程,发现介质材料特性影响电荷衰减速率,石英玻璃表面的电荷寿命较短。利用自制的电势探针对激励器的表面电势进行了定量测量,发现介质表面存在正电势并延伸至放电下游区域,脉冲高压的引入能够提升表面电势。表面电势在施加正脉冲时随PRF的减小而降低,在施加负脉冲时随PRF减小逐渐增加,正脉冲情况下的提升效果更明显。表面电势最大值的位置随PRF减小靠近暴露电极。
其他文献
在磁约束核聚变装置运行过程中,等离子体与壁材料相互作用(Plasma-Wall Interaction,PWI)会引起燃料(氢同位素)在第一壁及偏滤器表面滞留,直接影响材料的性质和燃料粒子的再循环。氚的长期滞留还会引发核安全问题,需要引起特别的重视。激光诱导击穿光谱(Laser-Induced Breakdown Spectroscopy,LIBS)是一种重要的激光烧蚀光谱元素分析技术,原位LIB
学位
作为新型的高级氧化技术,等离子体中挥发性有机污染物(Volatile organic compounds)气相氧化已被广泛研究。但目前该领域的研究主要是开展反应工艺优化,考察实验条件对特定反应物脱除率和能耗指标的影响,对等离子体中VOCs气相氧化机理尚不清楚。鉴于此,本文采用介质阻挡放电(Dielectric barrier discharge)空气等离子体,以简单的C1分子中一氧化碳(CO)、二
学位
除了传统的焊接、切割、化工等应用外,低温等离子体技术在半导体加工、材料表面改性、生物医学等新技术领域也发挥着重要作用。近年来,低温等离子体物理研究推动着等离子体处理加工技术迅猛发展,同时技术应用又促进着低温等离子体物理研究的深入开展。在低温等离子体应用的基础实验和理论研究中,产品质量的稳定性、反应机理的清晰性、产率和效率的提高是新技术领域中的一系列关键问题。因此对其基本物理过程进行透彻的研究和工艺
学位
平行剪切流的流体动力学稳定性是上世纪的经典问题之一,在天体物理、地球物理、气象学、海洋学等领域受到了广泛的关注。对于等离子体剪切流,相应的磁流体力学稳定性分析在数学理论和物理分析方面都存在相当的难度。其中典型的例子就是平板泊肃叶流(PPF)的磁流体稳定性分析。本论文考虑不可压缩磁流体动力学(MHD)模型,数值研究了平行磁场对平板泊肃叶流不稳定性的影响。论文的章节安排如下:第一章,主要介绍平行剪切流
学位
芯片尺寸的不断减小对等离子体半导体制造工艺提出了挑战。目前,芯片特征尺寸减小到5 nm以下,制备纳米级薄膜的技术将变得至关重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种成熟的工业薄膜沉积技术,它可以在低温下制备高密度、高性能的薄膜,使其能够满足日益发展的半导体工艺需求。目前微处理器、微控制器、存储芯片等工艺中主要的氧化层是氧化硅薄膜,相比实验研究来说,利用模拟手段来研究PECVD制备氧化硅薄膜
学位
托卡马克聚变装置在运行过程中,面对等离子体材料(Plasma-Facing Material,PFM)第一壁和偏滤器会受到来自芯部等离子体热流和粒子流的冲击,发生一系列等离子体与壁相互作用(Plasma Wall Interaction PWI),导致壁表面侵蚀与结构损伤,并伴随着燃料滞留、杂质沉积等现象。激光诱导击穿光谱技术(Laser-induced breakdown spectroscop
学位
射频容性耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma,CCP)具有结构简单、造价低、能够产生比较均匀的等离子体等优点,被广泛应用于薄膜沉积与刻蚀等。但是随着刻蚀线宽越来越窄,连续波CCP刻蚀已经不能满足工艺要求,于是有人提出脉冲CCP刻蚀。这是因为脉冲调制射频CCP可以通过调节脉冲重复频率、占空比和脉冲形状来提高工艺的灵活性,而对于脉冲调制射频CCP相关研究大都着重于前两个
学位
在信息化时代,信息过载问题使得推荐系统在各种在线服务中被广泛应用。为了提升推荐精度,工业界普遍部署表达能力较好的深度推荐模型来为用户产生更加有用的推荐结果。同时,为了提升推荐的个性化程度和缓解数据稀疏问题,推荐相关的辅助信息越来越多地被应用到推荐过程中,来进一步提升推荐质量。但是对目前已有的深度推荐算法来说,由于其特征嵌入层存在着可扩展性和表达能力上的局限,受特征输入维度影响严重而无法高效灵活地融
学位
强流相对论电子束与等离子体相互作用的研究在“等离子体尾波场加速”、“惯性约束聚变中的快点火方案”和“天体物理中的无碰撞激波以及伽马射线暴的起源”等前沿领域中有着重要的应用。电子束与等离子体之间可以通过库仑碰撞或者集体效应传递动量和能量。集体效应通常会激发等离子体微观不稳定性并产生静电或者电磁扰动,从而激发强电磁场进一步对电子束的输运及能量沉积产生重要影响。随着激光技术的飞速发展,强激光打靶产生的强
学位
大气压等离子体射流(APPJs)由于不受放电间隙尺寸限制,能够在开放空间产生富含多种活性成分的低温等离子体,在材料、环境和生物医学等领域有着广泛应用前景,近年来已成为国内外低温等离子体领域的研究热点之一。APPJs的行为受电极结构、驱动电源、工作气体、传播环境等多种因素影响。射流传播的环境气体决定所产生的活性粒子的种类,为了满足不同应用的需要,往往需要采用合适的方法对传播环境进行调控;电极结构不仅
学位