近年来,硫化锑（Sb₂S₃）因其优异的电学和光学性能,被认为是传统薄膜太阳电池的吸收层材料中极具发展前景的替代材料之一。本论文研究了传统双温区加热法、等离子硫气氛法和低温等离子法对锑膜进行硫化,从而制备Sb₂S₃薄膜。获得的创新新结果如下:采用传统双温区加热法成功制备了Sb₂S₃薄膜,研究了硫化温度对薄膜物化性质和光电性能的影响传统双温区加热法制备Sb₂S₃薄膜的锑端最低温度为350℃。且在350℃和400℃时制备的薄膜具有沿着<151>晶面方向择优生长的特点。采用等离子硫气氛法成功制备了Sb₂S₃薄膜,研究了硫化温度、射频功率、硫化时间对薄膜化学成分、形貌、物相和光电性能的影响。结果表明,采用等离子硫气氛法在较低温度下就可以制备出较好的Sb₂S₃薄膜。在射频功率为183W时,300℃就能制备出S/Sb原子比接近理论值,物相纯净,颗粒尺寸较大,分布均匀的Sb₂S₃薄膜,且呈现出沿着<211>和<221>晶面方向显著择优生长的现象。采用低温等离子法也实现了Sb₂S₃薄膜的制备,研究了射频功率和等离子作用时间对薄膜化学成分、形貌及物相的影响。结果表明,硫含量与射频功率或等离子作用时间呈正相关,薄膜表面颗粒尺寸先增大后减小。在射频功率为180W的条件下,反应区的温度约为200℃,即可制备出表面形貌相对较好,薄膜成分适宜、结晶度较好的Sb₂S₃,且呈现出沿着<211>方向择优生长更显著。通过三种基于真空环境制备薄膜的方法制备Sb₂S₃薄膜,通过实验数据来看,等离子参与可以降低反应温度,可在更低温度下成膜,薄膜质量相对双温区加热法要好。而低温等离子法相对于等离子硫气氛法更优。