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银纳米线具有很多其他材料不具备的性能,从而在某些电子材料领域备受青睐,尤其是纳米银线具有的高的导电性和导热性,将来会是导电材料的良好选择。目前,氧化铟锡是制作ITO导电玻璃最主要的材料,但氧化铟锡制作工艺繁琐,造价高、导电性不高,同时,铟在地壳中的分布量比较小,又很分散,开采困难,又是一种不可再生资源。很多研究工作者都在积极寻找一种可替代ITO的新型材料。由于纳米银线具有透光度高、耐曲挠性、导电性好、制备容易等特点而成为柔性透明导电材料的最佳选择。因此,制备形貌可控的纳米银线是应用于柔性透明导电材料的关键。本文以纳米银线为研究对象,采用液相多元醇法制备纳米银线。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜等对制备的纳米银线性能进行表征。以液相多元醇两步法制备纳米银线,以Pt和Ag为混合晶种,探究了晶种制备过程中Pt与Ag物质的量之比、晶种制备时间、晶种制备浓度,晶种制备温度对纳米银线生长的影响,继而探究晶体生长过程中PVP的平均分子量,PVP与硝酸银的摩尔比、晶体生长温度、晶体生长时间、硝酸银浓度对纳米银线生长的影响。实验表明:以Pt和Ag为混合晶种,最佳条件为:Pt与Ag物质的量比为1:1、晶种保温时间为20min、晶种生长温度为160℃、PVP的平均分子量为58000、PVP与硝酸银的摩尔比为3:1、晶体生长温度为160℃;晶体生长时间2h时,制备出的纳米银线最佳。以PVP为包覆剂使用液相多元醇一步法制备纳米银线,通过实验探究了控制剂离子、反应温度、硝酸银浓度、PVP与硝酸银的摩尔比、PVP平均分子量对纳米银线生长的影响,得到的最佳制备条件为:Cu Cl2·2H2O浓度为4m M/L且用量为2m L,Cl-浓度为2×10-5m M,PVP与Ag NO3物质的量的比为3:1,PVP平均分子量为58000,制备出的纳米银线最佳。